有没有低导通电压的P-MOS管
本帖最后由 hellohello22 于 2018-3-16 07:35 编辑要求3V左右能彻底导通（实在不行放宽到接近4v也行)，导通电阻100m欧或以下都行，电流有几百mA就可以，贴片小体积的，最好容易买到的，谢谢
本帖最后由 平流层 于 2018-3-16 08:58 编辑
看错，原来是要pmos，锂电保护板的应该基本都是nmos
平流层 发表于 2018-3-16 08:57
看错，原来是要pmos，锂电保护板的应该基本都是nmos
嗯，N-MOS不能共地啊，所以需要P-MOS
pmos远比nmos少，当年mosfet也不是给电源设计专用，是作为通用元件而设计生产使用。一个很原因是工作频率低。故用户少实际产量少。
AO3401算是常用的吧 本帖最后由 hellohello22 于 2018-3-16 09:43 编辑
dadodo 发表于 2018-3-16 09:35
AO3401算是常用的吧
多谢提供{:5_643:}，我先记下，看一下参数基本满足，Vgs=-2.5v下导通电阻120mohm，可以， 看看本地能不能买到
120毫好大的压降啊。要我会用sop8的。4v驱动内阻可以控制在5毫欧左右 AP2301 本帖最后由 hellohello22 于 2018-3-16 10:18 编辑
zhqsoft 发表于 2018-3-16 10:13
120毫好大的压降啊。要我会用sop8的。4v驱动内阻可以控制在5毫欧左右
工作电流只有100mA左右，压降10几毫伏，可以，实际电压不止2.5V
你说的啥型号，不妨也看看
mxlkf 发表于 2018-3-16 10:15
AP2301
这个也可以，Ron稍稍大点，2.8v下190mohm
120mΩ的数据哪来的? 偏大不少啊
这是长电的CJ3401
RDS(on)MAX
65mΩ@-10V
75mΩ@-4.5V
90mΩ@-2.5V
这是AO3401
RDS(ON) (at VGS=-10V) < 50mΩ
RDS(ON) (at VGS =-4.5V) < 60mΩ
RDS(ON) (at VGS=-2.5V) < 85mΩ 本帖最后由 hellohello22 于 2018-3-16 10:40 编辑
dadodo 发表于 2018-3-16 10:31
120mΩ的数据哪来的? 偏大不少啊
这是长电的CJ3401
120ohm是最大值, 3401满足我要求
AO公司的文档开头写的
VDS (V) = -30V
ID = -4.2 A (VGS = -10V)
RDS(ON)
< 50mΩ (VGS = -10V)
RDS(ON) < 65mΩ (VGS = -4.5V)
RDS(ON) < 120mΩ (VGS = -2.5V)
后面表格是典型值80mohm, 最大120mohm
本帖最后由 血横飞 于 2018-3-16 10:51 编辑
飞利浦剃须刀电子开关很厉害，1.2V的工作电压，用轻触式开关控制低压电机。不知道用的是什么管子？应该是Q7，丝印为VDX.
知道你的数据哪来的了,120是2006版的,85是2011版 hellohello22 发表于 2018-3-16 10:16
工作电流只有100mA左右，压降10几毫伏，可以，实际电压不止2.5V
你说的啥型号，不妨也看看
TPCA8103A。3v也能驱。内阻大概34十的样子 本帖最后由 zhqsoft 于 2018-3-16 12:38 编辑
dadodo 发表于 2018-3-16 11:09
知道你的数据哪来的了,120是2006版的,85是2011版
改了个usbhub。用AO3401，-5v驱单个mos在60+毫欧，2个背靠背过1A压降0.13v。空间有限将就用了 hellohello22 发表于 2018-3-16 09:00
嗯，N-MOS不能共地啊，所以需要P-MOS
其实Nmos也可以共GND的。你把mosDS交换下然后用比VD更高的电压驱动。 zhqsoft 发表于 2018-3-16 12:36
其实Nmos也可以共GND的。你把mosDS交换下然后用比VD更高的电压驱动。
我是用来给收音机电池做防反接，最近换了钽电容，怕反接爆掉
ON SEMI NTGS3443T1， 2 AMPERES, 20 VOLTS, RDS(on) = 65 mOhm， datasheet上看，标称开启电压0.95伏。
当年看到BC-900上用过 zhqsoft 发表于 2018-3-16 12:30 static/image/common/back.gif
改了个usbhub。用AO3401，-5v驱单个mos在60+毫欧，2个背靠背过1A压降0.13v。空间有限将就用了 ...
中间那个是单独的机械开关？？