luye_hd
发表于 2018-4-25 11:53
都是高人啊http://www.shoudian.org//mobcent//app/data/phiz/default/06.png
你好,再见
发表于 2018-4-25 12:03
平流层 发表于 2018-4-25 09:03 static/image/common/back.gif
看了看参数和描述,能起点作用,内部估计电荷泵一类的在关断期间获取维持mos的电压和能量,好像只能反激dcm ...
以他pdf的数据为例,输出5v4A,效率提高2%,输入功率从24.65w降到 23.91w,差0.74w。以15毫欧计算,这个mos二极管消耗0.24w,肖特基二极管以0.25v压降计算,消耗1w,差值0.76w。这已经符合15毫欧mos同步整流的数据了,不能提升更大是其他方面的原因了
dqp05
发表于 2018-4-25 12:11
你好,再见 发表于 2018-4-25 12:03
以他pdf的数据为例,输出5v4A,效率提高2%,输入功率从24.65w降到 23.91w,差0.74w。以15毫欧计算,这个m ...
肖特基二极管,至少0.4V,一般0.5V左右,哪家有0.25V?
w36066
发表于 2018-4-25 12:24
已经下单,坐等回来。
你好,再见
发表于 2018-4-25 12:41
dqp05 发表于 2018-4-25 12:11 static/image/common/back.gif
肖特基二极管,至少0.4V,一般0.5V左右,哪家有0.25V?
我查了下pdf,10A时25度下0.42v,125度0.37v(45R10的15毫欧我也是用的100+度的数据),里面最低从8A才有数据,测试电路里用的4个pn结并联使用,查不到1A下的压降,按推测,应该不到0.3v
dqp05
发表于 2018-4-25 12:51
你好,再见 发表于 2018-4-25 12:41
我查了下pdf,10A时25度下0.42v,125度0.37v(45R10的15毫欧我也是用的100+度的数据),里面最低从8A才有 ...
输出4A是平均值,实际峰值电流大于15A。建议你看看反激开关电源的电流波形就明白了。另外,二极管压降,和电流不是线性关系,不可能低到0.3V
你好,再见
发表于 2018-4-25 13:07
dqp05 发表于 2018-4-25 12:51 static/image/common/back.gif
输出4A是平均值,实际峰值电流大于15A。建议你看看反激开关电源的电流波形就明白了。另外,二极管压降, ...
二极管正向曲线像个高脚杯截面,越靠近杯底部分,相同电流变化量带来的电压差别更大呀
你好,再见
发表于 2018-4-25 13:14
L555T_007 发表于 2018-4-25 11:38 static/image/common/back.gif
这款国产的和TI SM74611 完全不一样。
TI有生物能量采集技术。200mV能泵到几V供芯片驱动NMOS.
反偏时获取电源能量,比你说的那个ti的在正偏时周期性中断mos以获取0.6v电源,不是更适合整流场合么,不会中断取电
你好,再见
发表于 2018-4-25 13:21
w36066 发表于 2018-4-25 12:24 static/image/common/back.gif
已经下单,坐等回来。
看你用在什么场合,用在交流整流应该可以,用在直流防反接之类的场合,还不如直接用个pmos
dqp05
发表于 2018-4-25 13:43
你好,再见 发表于 2018-4-25 13:07
二极管正向曲线像个高脚杯截面,越靠近杯底部分,相同电流变化量带来的电压差别更大呀
...
能量集中在大电流部分,所以,看小电流部分无意义
你好,再见
发表于 2018-4-25 13:49
dqp05 发表于 2018-4-25 13:43 static/image/common/back.gif
能量集中在大电流部分,所以,看小电流部分无意义
有效值4A,如你所说峰值15A的话,说明大部分时间是小电流的啊,得考虑整个周期里的平均热耗吧
dqp05
发表于 2018-4-25 13:58
本帖最后由 dqp05 于 2018-4-25 15:07 编辑
你好,再见 发表于 2018-4-25 13:49
有效值4A,如你所说峰值15A的话,说明大部分时间是小电流的啊,得考虑整个周期里的平均热耗吧
...
电流是线性变化的,电流从峰值15A下降到7.5A用的时间 和 7.5A到0A的时间,是相同的,且电流和能量是平方关系,15A到7.5A,能量传递75%;
从15A下降到5A的时间,是5A到0A的2倍,能量传递89%。
从这些参数,你明白没有?
zhqsoft
发表于 2018-4-25 14:47
{:5_620:}直流过1A
L555T_007
发表于 2018-4-25 14:55
你好,再见 发表于 2018-4-25 13:14
反偏时获取电源能量,比你说的那个ti的在正偏时周期性中断mos以获取0.6v电源,不是更适合整流场合么,不 ...
我就是说了国产这款是专用于AC/DC开关电源整流啊
15KHz左右,应该可以直接替换,注意耐压> 输出电压+线圈反向电压 ,例如12V电源。
40VDC/DC(非同步整流) 都是150KHz左右,不确定能否替换。
TI那款可以用于直流/防反接,电流在关断NMOS的瞬间变成经过本体普通硅二极管,压降稍高,但输出侧并不会断电。
应用场合不一样
你好,再见
发表于 2018-4-25 15:17
dqp05 发表于 2018-4-25 13:58 static/image/common/back.gif
电流是线性变化的,电流从峰值15A下降到7.5A用的时间 和 7.5A到0A的时间,是相同的,且电流和能量是平方关 ...
不知道为何说有敏感字符
dqp05
发表于 2018-4-25 15:22
你好,再见 发表于 2018-4-25 15:17
不知道为何说有敏感字符
建议你看看反激电源DCM(这个二极管要求是DCM)工作时的电流波形就明白了。
你说的这个波形,不是反激电源DCM模式,所以,无效资料。
dqp05
发表于 2018-4-25 15:28
你好,再见 发表于 2018-4-25 15:17
不知道为何说有敏感字符
另外,对于二极管,直流输出,二极管损耗最小,脉冲电流,占空比越小,损耗越大,这些资料,二极管资料里面都有曲线,建议你看看国际大公司的整流管资料,里面有占空比和损耗的曲线。
所以,你这种假设和结果,是错误的,具体我就不分析了,自己看看资料就明白了。
w36066
发表于 2018-4-26 14:03
你好,再见 发表于 2018-4-25 13:21
看你用在什么场合,用在交流整流应该可以,用在直流防反接之类的场合,还不如直接用个pmos
...
普通的小开关电源,我这个电源比较特殊,3.9V,1A,24小时*365天不间断工作。
w36066
发表于 2018-4-26 14:10
dqp05 发表于 2018-4-25 15:28
另外,对于二极管,直流输出,二极管损耗最小,脉冲电流,占空比越小,损耗越大,这些资料,二极管资料里 ...
如果我运用在输出3.9V,电流1A情况下,可以比原来减少多少功耗。原来用肖特基最好的那种(直流1A压降0.3V)
dqp05
发表于 2018-4-26 14:44
w36066 发表于 2018-4-26 14:10
如果我运用在输出3.9V,电流1A情况下,可以比原来减少多少功耗。原来用肖特基最好的那种(直流1A压降0.3V ...
效率提高3%-4%左右吧。
注意,必须工作在DCM模式才能代替。