coolsky 发表于 2018-10-21 12:41
大功率三极管，可不可以这样理解
不是，场效应管也有小功率的，三极管也有大功率的，场效应管和三极管不同的是，三极管是基极有小电流，集电极就有大电流，存在一个放大倍数，所以是电流控制电流器件，场效应管是栅极有电压，漏极和源极之间就导通，是电压控制电流器件，三极管因为需要电流驱动，所以会消耗功率，场效应管只需要电压就能导通，不需要额外消耗功率
电子负载是工作在线性区的，对管子的转移曲线有一定要求，IRF250之类的管子好像比较合适
场效应管不是电压控制型的三极管？
场效应管和三极管相似，但场效应管GS间电阻可以看成是绝缘的，因此属于电压控制类器件。另外场效应管导通是沟道里只有一种载流子参与，这点和三极管要区分开。GS开启电压要参考datasheet，一般开启电压2-3V就可以，完全导通需要更高点，mos管导通后，沟道电阻极小，导通电阻最少能做到几个毫欧。按照结构分为结型和绝缘栅型，其中又可以分为增强型和耗尽型，按照导电沟道又可以分为P沟道和N沟道，这点类似于三极管的npn,pnp。楼上几位回到的不是很清楚啊，场效应管过流能力强，开关电源用的很多。
pwm控制的开关电源中，mos管导通电阻小，相当于一个快速开关。放大电路中，mos管做的放大电路一般做为输入端前级，因为输入阻抗很多。有时候可以用做可变电阻（结型管）。东西可以活用嘛
本帖最后由 dqp05 于 2018-10-21 22:56 编辑
三极管是电流放电器件；
MOS是压控电阻器件；
可控硅是电流触发半导体开关；
继电器是电磁控制机械开关；
dqp05 发表于 2018-10-21 22:55
三极管是电流放电器件；
MOS是压控电阻器件；
可控硅是电流触发半导体开关；
那一般的电磁继电器在受强烈震动的时候是不是会失控？
场管整体的性能优于双极性三极管, JFET常用来做信号放大，但一个硬伤是放大倍数(跨导, 输出电流/输入电压)比较低, 一般只有几十mS，和双机型三极管天壤之别，MOS常用作开关
__ll_ww__ 发表于 2018-10-21 23:20
那一般的电磁继电器在受强烈震动的时候是不是会失控？
会 的
对了，我还想到一个问题，同一个mos，UGS一定，工作温度一定，电流不太大，导通电阻也一定吗？是不是不随DS电流变化而变化？
__ll_ww__ 发表于 2018-10-22 00:13
对了，我还想到一个问题，同一个mos，UGS一定，工作温度一定，电流不太大，导通电阻也一定吗？是不是不随DS ...
有 影响 的
本帖最后由 hellohello22 于 2018-10-22 07:28 编辑
__ll_ww__ 发表于 2018-10-22 00:13
对了，我还想到一个问题，同一个mos，UGS一定，工作温度一定，电流不太大，导通电阻也一定吗？是不是不随DS ...
不会恒定，和ID有关，手册上很清楚‘’
但有的mos在栅极电压比较高的时候，导通电阻比较稳定, 实际上常见的三极管放大倍数也和Ic有关，有的管子可以做的比较稳定
场效应管和三极管都可以理解为功率调制器，只不过场效应管用电压控制，三极管用电流控制。
hellohello22 发表于 2018-10-22 07:27
不会恒定，和ID有关，手册上很清楚‘’
有的mos，如果导通电阻基本恒定的话，也可以同时当电流采样电阻来用吧？比如锂电保护用的DW01芯片好像就是通过判断电流流过两个mos的压降来判断过流的。
本帖最后由 hellohello22 于 2018-10-22 20:31 编辑
__ll_ww__ 发表于 2018-10-22 15:11
有的mos，如果导通电阻基本恒定的话，也可以同时当电流采样电阻来用吧？比如锂电保护用的DW01芯片好像就 ...
但温度特性很难恒定啊
手册有说，DW01外接的2个场管是控制通断，不是采集， 过放采集是2脚(CS)， 用一定时间内电压增大的幅度来实现，有2个参数，一是电压上升0.15v持续10ms, 还有一个是短路保护，电压上升1.35v持续5us, 这2种情况会触发断开电路
如果要验证，只能用示波器{:5_620:}
hellohello22 发表于 2018-10-22 15:28 static/image/common/back.gif
但温度特性很难恒定啊
手册有说，DW01外接的2个场管是控制通断，不是采集， 过放采集是2脚(CS)， 它不是 ...
不过DW01保护板，8205A mos并联的越多，过流保护电流就越大吧？一个8205A的保护板最大电流只有3A左右，所以有的保护板（或者充电宝电路的锂电保护部分）就会用很多个8205A。
mos并联的多，同样的压降，电流就大。
__ll_ww__ 发表于 2018-10-22 00:13
对了，我还想到一个问题，同一个mos，UGS一定，工作温度一定，电流不太大，导通电阻也一定吗？是不是不随DS ...
要看你是工作在什么状态，如果是线性区，那就变化很大，如果是工作在饱和区，那就比较恒定，但比取样电阻还是会差很多，保护板的MOS是工作在饱和区，用来做过流保护还是可以的，因为比如8A保护板，到10A才保护都没问题，但是当成取样电阻的话，实际8A显示10A，你觉得还有用吗？
本帖最后由 __ll_ww__ 于 2018-10-22 19:37 编辑
cswcwc001 发表于 2018-10-22 19:25
要看你是工作在什么状态，如果是线性区，那就变化很大，如果是工作在饱和区，那就比较恒定，但比取样电阻 ...
我觉得过流保护电流应该不需要很精确，过流保护的电流值差一点问题也不大吧。网上查了一下保护原理看看。
wlbx 发表于 2018-10-21 19:48
场效应管不是电压控制型的三极管？
电压控制的三极管那叫IGBT不叫场效应管。
本帖最后由 hellohello22 于 2018-10-22 20:26 编辑
__ll_ww__ 发表于 2018-10-22 18:41
不过DW01保护板，8205A mos并联的越多，过流保护电流就越大吧？一个8205A的保护板最大电流只有3A左右，所 ...
电压跌落大不大，还是要看负载，如果负载电流小，并10个mos管也不会触发保护