菜鸟不飞
发表于 2011-10-8 19:07
从晶体管时代过来的人,不小心搞错mos的符号,很正常,关键是心里对内涵的理解。
mytomatoes
发表于 2011-10-8 19:17
内涵?
菜鸟不飞
发表于 2011-10-8 19:22
对呀,内涵。
内涵就是如何实现、如何解决,像我们不是班课出身,难免疏漏,但要紧的是心里清楚。
miss
发表于 2011-10-8 19:26
呵呵,正在搭建电路,频率用32KHZ,电容用33UF的MLCC
miss
发表于 2011-10-8 19:27
均衡3A看行不行
mytomatoes
发表于 2011-10-8 19:30
看来我的a123电池组串充有希望了……话说平衡很有必要么?是不是隔一段时间平衡一次就行?
miss
发表于 2011-10-8 20:09
应该是的,现在不知均衡电流怎么算,还有就是电容大小怎么选取
mytomatoes
发表于 2011-10-8 20:13
菜鸟这个帖子刚开头用的不是680u的固态么?
miss
发表于 2011-10-8 20:41
680好像频率选高了不能充满
miss
发表于 2011-10-8 20:41
680好像频率选高了不能充满
mytomatoes
发表于 2011-10-8 23:41
本帖最后由 mytomatoes 于 2011-10-8 23:47 编辑
其实,,,频率高了,开关损耗也大了。。 这个电路存在这个问题么? 也不需要很高的频率吧?
菜鸟不飞
发表于 2011-10-9 01:21
电容,可以肯定的是越大越好,只要放得下。
大了,达到同样的效果,频率可以降低,驱动功耗就小了。
一般情况下,频率越高,平衡能力越强。
同时,容量越大,能力一样越强。
我选的固体电容,在接近100k时,再提高频率已经没有效果了。电容等效电阻、等效电感开始主导了。
如果用两倍的容量,一半的频率,效果肯定只会更好。
但,加大容量到一定程度,不降低频率,以期达到更好的效果,往往也会徒劳的。因为MOS的导通电阻会限制住整体的能力。
至于开关损耗,几乎没有压差,可以不用理会的。
miss
发表于 2011-10-9 09:15
郁闷啊,用4060做了一个32KHZ的发生源,再用4013驱动成一高一低两电平,结果炸块了,炸MOS了,初步分析是因为两个脉冲在上升下降时,MOS微导通所致,没有死区时间,不飞大侠推荐有没有哪种IC能同时产生死区时间,避免在MOS切换时不导通,又能产生相反的高低电平
另外MOS我选用的330UF,大了好像电流一次把电容充不满4.2V吧,另外电池端我没有并联电容,直接是电池连接
miss
发表于 2011-10-9 10:08
本帖最后由 miss 于 2011-10-9 10:13 编辑
终于搞定了,完美啊
电容选取与频率选择
现在选的频率是32768HZ,那开关时间为30us,死区时间设置为30us,在第四个脉冲时复位,第一个与第二个脉冲时间间隔60us,
根据电容与充放电时间公式
充电时,uc=U× U是电源电压
放电时,uc=Uo×e^(-t/τ) Uo是放电前电容上电压
电容两端电压Vc随时间的变化规律为充电公式Vc=E(1-e-(t/R*C))。其中的:-(t/R*C)是e的负指数项,这里没能表现出来,需要特别注意。式中的t是时间变量,小e是自然指数项。举例来说:当t=0时,e的0次方为1,算出Vc等于0V。符合电容两端电压不能突变的规律。对于恒流充放电的常用公式:⊿Vc=I*⊿t/C,其出自公式:Vc=Q/C=I*t/C。
R为MOS导通与电容等效线阻,选取为0.015欧,刚充放时电流为0.2/0.015=13A,则C应该为0.2=13*0.000060/C,则C=3900UF,另外我们可以设置均衡电流大概为3A,那电容为0.2=3*0.000060/C,则电容为900UF
tffu
发表于 2011-10-9 10:19
194# miss
MOS发热情况如何?
miss
发表于 2011-10-9 10:29
还没焊啦,电路完美啦
菜鸟不飞
发表于 2011-10-9 10:41
哈哈哈哈,死区时间,郁闷了吧。
你再仔细看看顶楼的驱动方式,电阻、二极管、图腾柱还有隐含的栅极电容,MOS慢开快关,自然就有死区了。
菜鸟不飞
发表于 2011-10-9 10:53
电容充电你理解错了,它是从一个电池的电压充或放到另一个电池的电压而已,不用担心满不满的。
所以我说是越大越好。
miss
发表于 2011-10-9 10:59
哦,原来如此
mytomatoes
发表于 2011-10-9 11:03
是我肯定用单片机做信号……