我现在驱动信号接的是Q1与Q3,也就是每个驱动电平之间有个Q2的间隔时间,这就是死区时间,并且Q1电平为高时,可以释放Q3驱动时留在MOS上的电荷,反之,Q3电平为高时,可以释放Q1驱动时留在MOS上的电荷,这样可以加快MOS的深导通与深截止,从理论上来说,应该是同开同关,不会是慢开快关
这是我进本论坛以来看到的少有的高营养价值的帖子，狂赞菜鸟大侠！{:1_268:}
基本原理是明白了，但是对如何防止共同导通的话题不是很明白。看来还是需要恶补一些相关知识啊。
不飞大侠，看我新弄的电路如何了
每只MOS是，开关时间相同有何弊端，不是慢开快关
会不会影响电池的寿命?搬运也算循环次数的吧
我现在驱动信号接的是Q1与Q3,也就是每个驱动电平之间有个Q2的间隔时间,这就是死区时间,并且Q1电平为高时,可以释放Q3驱动时留在MOS上的电荷,反之,Q3电平为高时,可以释放Q1驱动时留在MOS上的电荷,这样可以加快MOS的深 ...
miss 发表于 2011-10-9 22:30 http://www.shoudian.org/images/common/back.gif
郁闷死
建议你做个这样的实验，需要在现在的电池位置并电容进行。
每个电池和MOS的连接都串上电阻，等电路工作后测测电流；另外在保留电阻电容的情况下，撤掉其中的两个电池，看看各电池位的电压。
郁闷死
建议你做个这样的实验，需要在现在的电池位置并电容进行。
每个电池和MOS的连接都串上电阻，等电路工作后测测电流；另外在保留电阻电容的情况下，撤掉其中的两个电池，看看各电池位的电压。 ...
菜鸟不飞 发表于 2011-10-10 11:10 http://www.shoudian.org/images/common/back.gif
这是什么意思
我电路有什么问题吗，我觉得分析好像很合理，电流只会消耗在搬动电容的过程中，驱动电路上没有多少消耗，撤掉电池有什么影响
因为你预留的时间长，也许确实没问题，但确确实实不建议。
标记，好东西
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基本原理是明白了，但是对如何防止共同导通的话题不是很明白。看来还是需要恶补一些相关知识啊。 ...
Fireflying 发表于 2011-10-9 22:50 http://www.shoudian.org/images/common/back.gif
我用的是不同的电流对栅极充放电，让MOS快速关闭慢速开启。这样，同时发出的控制信号，由于延时不同，需要关闭的MOS总是比需要开启的MOS提前完成动作。自然形成死区。
按不飞大侠重新画了一个N、PMOS驱动结合，用电流控制充放电的电路，现在好像可以直接用4060单端驱动了，并且也不需要高电源，也是慢开快关，不知有何见解，这样行吗，
miss目前的做法正好掉头，如果也一样同时控制，必然有重合区。
他解决的办法是4分时，把各自的开通时间减半，把剩下的时间用于死区。
按不飞大侠重新画了一个N、PMOS驱动结合，用电流控制充放电的电路，现在好像可以直接用4060单端驱动了，并且也不需要高电源，也是慢开快关，不知有何见解，这样行吗， ...
miss 发表于 2011-10-10 11:57 http://www.shoudian.org/images/common/back.gif
我的意思就是这样
两组驱动对调，才是慢开快关。
双图腾柱，可以省电好多。
改成一半P一半N后可以单信号驱动，不过依然双图腾柱。
菜鸟不飞 发表于 2011-10-9 21:57 http://www.shoudian.org/images/common/back.gif
你看，我早就说的，你一直在绕弯。
miss目前的做法正好掉头，如果也一样同时控制，必然有重合区。
他解决的办法是4分时，把各自的开通时间减半，把剩下的时间用于死区。
菜鸟不飞 发表于 2011-10-10 12:04 http://www.shoudian.org/images/common/back.gif
{:1_252:}菜鸟兄终于明白我的意思了，我就是这个意思，不知妥不，后面按你的方法重新画了一个单信号驱动的，有没有弊端，没弊端我就腐蚀电路板了试下，我担心驱动的晶体管会同时导通，在驱动电压从高变低时，有没有这种情况发生，你的一楼的图腾柱也会存在这种弊端，我就是按你一楼画的，只是单信号驱动
{:1_252:}菜鸟兄终于明白我的意思了，我就是这个意思，不知妥不，后面按你的方法重新画了一个单信号驱动的，有没有弊端，没弊端我就腐蚀电路板了试下，我担心驱动的晶体管会同时导通，在驱动电压从高变低时，有没 ...
miss 发表于 2011-10-10 12:11 http://www.shoudian.org/images/common/back.gif
我哪里是终于，早就知道了。
等会儿给你算算帐你就明白了。
向不飞哥学习。
本帖最后由 菜鸟不飞 于 2011-10-10 14:01 编辑
先假设MOS导通电阻为5mΩ，不错的管子了吧？
电容等效电阻10mΩ，不算极品也算上品了吧？
电池内阻暂时忽略，开算：
两个MOS一个电容串联，20mΩ，多好的数据。{:1_246:}
别急，冲一次放一次，等效串联，电阻加倍，有40mΩ了，还可以么。{:1_217:}
导通时间只有1/4，等效电阻再乘以4。呵呵呵呵，160mΩ了啦啦啦啦。{:1_254:}
最上边和最下边有偏差的话得过两次搬运，运费加倍，320mΩ了啦啦啦啦。{:1_238:}
恐怖吗？
同样的材料，用上2分时和4分时等效电阻可以相差1倍，上面的最终结果如果换成2分时就是160mΩ，相邻之间介入的等效电阻80mΩ。
还用4分时吗？
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再算算图腾柱的优势：
首先作用就是加速完成动作，让切换时间尽量短。
然后说说省电，难理解吧？
好算点，周期1kHz，6个MOS总栅极电荷200nC。
4分时：
电阻在1/4mS内完成200nC，这段时间内所需平均电流0.8mA，整体来算0.2mA平均电流。
但是最大电流起码2倍于0.8mA，也就是MOS在完成200nC的任务外，还要用1.6mA的电流来照顾电阻。由于充放电对于电源只产生一次电流，只计算1.6mA就可以了，整体0.4mA平均电流。
好，0.2+0.4=0.6mA，很小么。
可是这是完全的临界状态，基本没留安全空间，那就把电阻再换小点，随便小一半吧。
0.2不变，充满了就不充了。0.2+0.4*2=1mA
1mA也不算大么。
但是如果1kHz频率，得用很大的电容才会有好的表现，要缩小体积，只能提高频率。
提高频率会怎样？50kHz怎么样？1*50=50mA。如果放电时，单单驱动就产生50mA，也是个不小的负担。
图腾柱会怎样？也是1kHz。
1mS内完成一次充放，不管多大电流，充满就没电流了。
那就是0.2mA，其他没了。
50kHz就是10mA，小得多了。
才发现，原来还在担心图腾柱的一对晶体同时导通，这是绝对不可能发生的事了。
对于NPN，基极电压大于发射极才导通，对于PNP则刚好相反。
满足了NPN就不满足PNP，反之亦然。
都不满足的机会倒是有的。
电阻在1/4mS内完成200nC，这段时间内所需平均电流0.8mA，整体来算0.2mA平均电流
但是最大电流起码2倍于0.8mA，也就是MOS在完成200nC的任务外，还要用1.6mA的电流来照顾电阻。由于充放电对于电源只产生一次电流，只计算1.6mA就可以了，整体0.4mA平均电流。
图腾柱会怎样？也是1kHz。
1mS内完成一次充放，不管多大电流，充满就没电流了。
那就是0.2mA，其他没了。
这两句有点没明白，我把我的驱动电阻换成了330K欧，驱动电流很小的，频率再高，电流还是很小，你的图腾柱驱动电阻是6.8K，有点小
即使我开关电路不动作，驱动MOS对地导通，总电流也才12.6V/330K=0.038ma,很小了，驱动时该电流对栅极充放电的电流也就是0.038ma，频率再高，理想为无穷大的频率，相当于短路，那单颗驱动的电流还是0.038ma，电流跟频率好像无关吧，还是我理解有错误