呵呵,已经搞定,还没有并且MLCC,太高兴了,哈哈,还真不错,只是电容发热,看来要改进一下,现在正在均衡中,可以参考我图,或者我的发贴http://www.shoudian.org/viewthread.php?tid=216453&extra=
不知还有没有改进的地方
菜鸟兄，经过一夜充电，还是有点问题啊，最上面一节电池比其它两节电池都多90几mv，并且最上面的PMOS发热严重，我现在把电池上也并联了3颗电容，都是最上面一颗（离电源正极离近的一颗电容），不知道怎么回事，并且均衡时，最上面一颗电容的电压高于下面一颗电容的电压，电池也是，最上面一颗要高于下面一颗0.1V的样子，把电池串入正极，测得电流170ma，最下面两节电池均衡还不错，相差只有20、30mv
是不是参数选得不合理，我PMOS的图腾柱驱动电阻是560欧，NMOS的图腾柱驱动电阻是2.2K欧，频率选的73KHZ
不接外部电源时，直接均衡，电池供给回路电源，均衡时各节电压都在下降，是怎么回事，电容都已经换过高频的了
加大电阻看看，那么小的电阻对于CMOS相当于没加，CMOS的驱动能力也就5mA，差距拉不开呀。
6.8k和20k试试吧。
我让你加大NMOS这路，你在减小PMOS这那路。{:1_238:}
要接开什么差距，我的电阻是根据充电放时间来算的，工作频率73K，倒数就是周期，然后栅极电容的充放电电容与回路电路的乘积就是时间常数，时间常数应该＝周期吧，所以电阻才选得这么小的，关键是MOS也发热，不知怎么回事
并且用频率计测得加到图腾柱电路与栅极的工作频率是73K，但测中间电容频率却变成了145K，不知道为何
同样的电阻，经过图腾柱就不能用同样的算法了，假设放大30倍，等效的阻值相当于三十分之一了。
所以，只管算充放电的比值，别太计较具体的时间常数了。
摸死发热？又是打不开？？
另外，即使固态电容，也不用那么高频率，低个一半也够了。
好的，那我试试把图腾柱电路的B极电阻换大一点，换成6.8k和20k，到底是哪路用6.8K，哪路用20K,我现在NMOS路的电阻比PMOS路大
n20k，p6.8k。
摸死发热？又是打不开？？
mytomatoes 发表于 2011-10-18 09:51 http://www.shoudian.org/images/common/back.gif
打得开，打开太快。
打不开反倒没事，大不了无效。
最下面那个p摸死和最上面那个n摸死会不会打开不完全？
它们的vgs只有一节电池的电压……
它们的vgs只有一节电池的电压……
mytomatoes 发表于 2011-10-18 10:12 http://www.shoudian.org/images/common/back.gif
这种情况不可能，因为脉冲幅度很大，0V～12V的幅度
我看把频率降低一点行不，就是MOS发热，不知为何，并且电容也发热，如果电阻减小不行，我就把频率降到20KHZ去
另外就是不接外部电源时，直接均衡，电池供给回路电源，均衡时各节电压都在下降，是怎么回事，
电容现在我用的是1000UF的高频电解，不知用坦电容如何，我有470UF，10V的坦电容
虽然电压确实不高，但和发热无关，只会降低平衡能力而已。
当前，很显然，发热的恰恰是开启条件最好的。
这种情况不可能，因为脉冲幅度很大，0V～12V的幅度
miss 发表于 2011-10-18 10:26 http://www.shoudian.org/images/common/back.gif
有两个MOS驱动电压确实不高。