菜鸟不飞 发表于 2011-10-18 10:51

我看把频率降低一点行不,就是MOS发热,不知为何,并且电容也发热,如果电阻减小不行,我就把频率降到20KHZ去
另外就是不接外部电源时,直接均衡,电池供给回路电源,均衡时各节电压都在下降,是怎么回事, ...
miss 发表于 2011-10-18 10:28 http://www.shoudian.org/images/common/back.gif

频率,其实我的实际频率是40kHz。再高,以我的器件参数,效果不再提高了。但是,再高的频率,MOS电容都不该发热,热的是图腾柱。

倒过来就是,你就是降低了频率,只要没切断根,发热的现象依然存在。只不过频率低了不明显而已,但依然会以漏电、平衡失效来表现。

miss 发表于 2011-10-18 11:06



有两个MOS驱动电压确实不高。
菜鸟不飞 发表于 2011-10-18 10:35 http://www.shoudian.org/images/common/back.gif
不对啊,就是PMOS最低电位一个(即从上向上第二个),NMOS最高电位一个(从上向下第二个),这两个驱动电压不高的MOS恰恰不发热,恰恰是PMOS最高电位一个发热(从上向下第一个)

mytomatoes 发表于 2011-10-18 11:17


不对啊,就是PMOS最低电位一个(即从上向上第二个),NMOS最高电位一个(从上向下第二个),这两个驱动电压不高的MOS恰恰不发热,恰恰是PMOS最高电位一个发热(从上向下第一个) ...
miss 发表于 2011-10-18 11:06 http://www.shoudian.org/images/common/back.gif
不热?是不是没打开啊??

菜鸟不飞 发表于 2011-10-18 11:19

你又开始捣浆糊了,没说他们热呀,我前面还和你说了一样的话呢。{:1_238:}

菜鸟不飞 发表于 2011-10-18 11:23

你倒是先把两个电阻换了试试看呢

mytomatoes 发表于 2011-10-18 11:40

就是不知道电压有没有达到开启电压……我没看过那两个摸死的资料。我错

菜鸟不飞 发表于 2011-10-18 11:42

就是不知道电压有没有达到开启电压……我没看过那两个摸死的资料。我错
mytomatoes 发表于 2011-10-18 11:40 http://www.shoudian.org/images/common/back.gif
我没说你,在说miss呢。

miss 发表于 2011-10-18 11:45

倒过来就是,你就是降低了频率,只要没切断根,发热的现象依然存在。只不过频率低了不明显而已,但依然会以漏电、平衡失效来表现。

这句话是什么意思,没有切断根,我安装了IN4184的二极管,就是快速放电的,应该切断根了的,只是看开启时间是不是太快了,菜鸟兄说要慢开启,但我快开启也不应该发热啊

miss 发表于 2011-10-18 11:46

但依然会以漏电、平衡失效来表现
是怎么漏电,还有就是电容如果有细微偏差有没有问题,MOS导通内阻有细微偏差有没有问题,跟发热有关系吗

菜鸟不飞 发表于 2011-10-18 11:57

被你捣浆糊捣死{:1_238:}

根,病根,这里就是开启延时不够,死区不够。

开启延时为神马会不够,是因为关闭不够快。

关闭为神马不够快,是因为驱动能力有限。

如何加大延时,那就加大电阻。

为神马NMOS这路的电阻要加得特别大,那是因为PMOS的栅极电荷特别大,关闭得特别慢。

miss 发表于 2011-10-18 11:59

{:1_254:}{:1_246:}
我先试试把电阻搞大再说

miss 发表于 2011-10-18 12:02

现在关闭已经是最快了,串了一个反向二极管进去加快放电,还有神马比这个更快放电,另外跟我NMOS与PMOS栅极的上下拉电阻有关系没,我用了820K欧的上下拉电阻

miss 发表于 2011-10-18 12:11

说来也奇怪,可能跟频率没有多大关系,原来我这电容用在3780输出滤波上,3780频率有200~300KHZ,都不会发热,现在均衡的频率才73K,电容就发热了,不知是哪点的问题,MOS发热可以像菜鸟兄说的,可能是开启太快,但电容发热是怎么回事

mytomatoes 发表于 2011-10-18 12:43

我想用这个做!!http://blog.ednchina.com/fcmc/315788/message.aspx

菜鸟不飞 发表于 2011-10-18 12:47

CMOS只有5mA的驱动能力,别说二极管,就算直通也不可能出现几十mA的电流的。
这时,560欧的电阻顶个球?

我在前面早就说过,6.8k是权衡了CMOS的驱动能力后的选择,这样能保证在MOS、三极管基本一致的情况下,开启时间远大于关闭时间。

现在,MOS严重不一致了,加快PMOS的关闭不可能,那就只能减慢NMOS的开启。

你想摆脱束缚,CMOS不答应呀。

miss 发表于 2011-10-18 12:49

先试试,如果还热的话,我再改进一下其它的参数,电容,频率等这些

miss 发表于 2011-10-18 12:49

或者把电容换小点,并个MLCC电容试试

mytomatoes 发表于 2011-10-18 13:41

先试试,如果还热的话,我再改进一下其它的参数,电容,频率等这些
miss 发表于 2011-10-18 12:49 http://www.shoudian.org/images/common/back.gif
你有没有实际测过每个摸死的vgs有没有达到?

miss 发表于 2011-10-18 14:10

测过,没问题

miss 发表于 2011-10-18 16:11

本帖最后由 miss 于 2011-10-18 16:22 编辑

有个很有趣的现象,就是我现在不接电源,直接接一个电池组上去,即最下面一个电池组,只有一节电池,相当于4.2V,然后其它两节不接,但这时用万用表量最高位的电压,居然有12V多,太神奇了吧,并且电路也起振了的,频率也是73K,相当于这个电路又是一个电荷泵的升压电路,能把单节电池电压升到3倍电压上去,怎么解释这个现象啊
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