avaya 发表于 2020-2-25 21:53
又找到一个：
LM2596 输出电容用MLCC直接爆电容！！
https://www.bilibili.com/video/av87669654
我的本意是电容本身ESR越小越好，前提是电路支持，如有些电路支持MLCC，就可以用ESR更低的MLCC；有些电路支持铝电解，就可以用ESR更低的铝电解。
而你误解我的本意，认为电容可以随意用，而不管这个电路是否支持。
电容厂家，都是追求更低的ESR，没有哪个厂家追求更高的ESR。
我也买了个皮小虾的
大佬写错了TP的用料公司，是GJT，俺也是刚刚仔细瞅了下电容外面的皮～国产货～～
avaya 发表于 2020-2-25 21:53
又找到一个：
LM2596 输出电容用MLCC直接爆电容！！
https://www.bilibili.com/video/av87669654
前两天刚买了这个型号的降压片！{:5_590:}
dqp05 发表于 2020-2-25 17:33
那是因为有些LDO内部没设计好，用低阻抗时会振荡，现在有些LDO改进设计，支持低阻抗，可以用MLCC了。
...
不是LDO没设计好 这个是天性--负反馈电路不能保证反馈信号在各个频率相位一致 某个频率相位变成正反馈 就自激了。
dqp05 发表于 2020-2-26 01:22
1117那么大的静态电流，那么大的压降，和7805一个档次，怎么可能是LDO？
LDO静态电流uA级别，MOS管稳压， ...
LT1117 当然是LDOlow dropout regulator 和是不是用mos调整管没关系
mdes74 发表于 2020-3-23 20:59
不是LDO没设计好 这个是天性--负反馈电路不能保证反馈信号在各个频率相位一致 某个频率相位变成正反馈...
技术在进步，国外大公司早就有可以用MLCC的LDO了。
国内常见的LDO，都是几十年前的技术
dqp05 发表于 2020-3-23 21:10
技术在进步，国外大公司早就有可以用MLCC的LDO了。
国内常见的LDO，都是几十年前的技术
...
这个是设计取向和成本的问题。
mdes74 发表于 2020-3-23 21:02
LT1117 当然是LDOlow dropout regulator 和是不是用mos调整管没关系
1117压降最小1V多，和7805差不多，7805也是LDO？
采用MOS作为调整管的，压降最小几十mV，要称为 超级超级超级LDO？
mdes74 发表于 2020-3-23 21:14
这个是设计取向和成本的问题。
那是，好东西价格不便宜，否则早就淘汰老芯片了
本帖最后由 mdes74 于 2020-3-23 21:40 编辑
dqp05 发表于 2020-3-23 21:25
1117压降最小1V多，和7805差不多，7805也是LDO？
采用MOS作为调整管的，压降最小几十mV，要称为 超级超级 ...
7805 压降必须2-3V 以上， 7805 是 regulator但不是 low drop， LDO除了用mos 管，晶体管多可以 只要是low drop即可，有厂家用锗管做调整管的 以前多用过
本帖最后由 mdes74 于 2020-3-23 21:38 编辑
dqp05 发表于 2020-3-23 21:27
那是，好东西价格不便宜，否则早就淘汰老芯片了
出现这种应用主要是MLCC 容量能够做大了，MLCC优势就是小体积，这种需求就越来愈多 芯片厂商才会去开发这种针对性应用， 主要还是在小电流应用，成本实际基本差并不太多，反而可能会低，主要看量，量起关键作用。
mdes74 发表于 2020-3-23 21:29
7805 压降必须2-3V 以上， 7805 是 regulator但不是 low drop， LDO除了用mos 管，晶体管多可以 只要 ...
7805，2V；78L05，1.7V，和1117没有本质区别；
但用MOS，差别就大了，根本不是一个档次的
mdes74 发表于 2020-3-23 21:37
出现这种应用主要是MLCC 容量能够做大了，MLCC优势就是小体积，这种需求就越来愈多 芯片厂商才会去开发这 ...
大容量MLCC出现的晚；
几十年前，都是用电解电容，IC参数都是根据电解电容设计的
dqp05 发表于 2020-3-23 21:41
7805，2V；78L05，1.7V，和1117没有本质区别；
但用MOS，差别就大了，根本不是一个档次的
差距大了， LDO 的耐压不够高
本帖最后由 dqp05 于 2020-3-23 23:27 编辑
mdes74 发表于 2020-3-23 22:03
差距大了， LDO 的耐压不够高
耐压不够高？我现在用40V的MOS管的LDO，够高不？
只要有需要，耐压不是问题。
再提醒你一下，我说的这个40V MOS LDO，还是国产的，如果是国外大公司，应该有更高耐压的
dqp05 发表于 2020-3-23 23:25
耐压不够高？我现在用40V的MOS管的LDO，够高不？
只要有需要，耐压不是问题。
L1117 耐压20V 低饱和压降 必定耐压做不上去 这个也是设计取向7805可以做到35V以上
小新来了 发表于 2020-2-25 12:36
为什么我的全新电容阻值那么大的？
某宝搜索出来的都是虾米？
mdes74 发表于 2020-3-23 23:56
L1117 耐压20V 低饱和压降 必定耐压做不上去 这个也是设计取向7805可以做到35V以上
...
1117和7805都是采样三极管，而耐压和压降间的矛盾，是三极管自身缺点；
MOS就没有这个问题，耐压高些，压降还是可以很低
本帖最后由 mdes74 于 2020-3-24 01:29 编辑
dqp05 发表于 2020-3-24 00:47
1117和7805都是采样三极管，而耐压和压降间的矛盾，是三极管自身缺点；
MOS就没有这个问题，耐压高些， ...
MOS管是同样道理