请教下,这个NMOS管是怎么导通的
下面是LM5050理想二极管的典型应用图,图中NMOS管导通应该是GATE电压大于IN电压,但是GATE电压是怎么大于IN电压的?看不出这种情况。本帖最后由 hellohello22 于 2020-12-4 19:31 编辑
不看文档?内部有个12v升压电路给栅极
N-MOS实际上是D, S对调的连接方式
hellohello22 发表于 2020-12-4 19:27
不看文档?内部有个12v升压电路给栅极
N-MOS实际上是D, S对调的连接方式
谢谢。我猜也是有升压电路,内部框图里面GATE和IN两端有个14V稳压管,不过有些奇怪,升压电路可以不用电感?或者电感在芯片里?我印象记得芯片是无法集成电感的。
升压有很多种方式,除了电感还有电容,用电感的一般是需要大电流的场合,小电流的话,电容足够了。 cyradg 发表于 2020-12-4 19:41 static/image/common/back.gif
谢谢。我猜也是有升压电路,内部框图里面GATE和IN两端有个14V稳压管,不过有些奇怪,升压电路可以不用电 ...
电荷泵
mos是电压驱动,低频开关和一直导通的驱动能耗很低,ic里面集成电容也不用多大
hellohello22 发表于 2020-12-4 19:27
不看文档?内部有个12v升压电路给栅极
N-MOS实际上是D, S对调的连接方式
原理应该是检测mos两端压差控制导通,不过有个问题,如果有较小的反向电流,比如mA级,mos内阻也非常小的情况,mos压降就极低,几乎测不出,会不会就不起作用了。 __ll_ww__ 发表于 2020-12-5 17:11
原理应该是检测mos两端压差控制导通,不过有个问题,如果有较小的反向电流,比如mA级,mos内阻也非常小的 ...
反向电流检测肯定有的
输入电压加上30mv再和输出电压比较, 也就是当输出电压大于输入30mv(此时电流从输出到输入),比较器输出高,经过或门还是高电平,内置的N-MOS导通,栅极电压快速下降,外置MOS截止起到保护作用,这时MOS的体二极管也反接,输入输出断开
实际上这个芯片是用在多个后备电源“并”联使用的,原先的并联一般采用二极管,用这个芯片替代而已。
hellohello22 发表于 2020-12-5 17:57
反向电流检测肯定有的
输入电压加上30mv再和输出电压比较, 也就是当输出电压大于输入30mv(此时电流从输 ...
那也就是说这个芯片并不能阻止一定的的反向电流?比如mos用10mΩ的,反向2A左右电流,这个芯片还是不能关闭mos,要3A才能关闭?这样还有什么用呢,不太明白。 本帖最后由 hellohello22 于 2020-12-6 21:32 编辑
__ll_ww__ 发表于 2020-12-6 13:31
那也就是说这个芯片并不能阻止一定的的反向电流?比如mos用10mΩ的,反向2A左右电流,这个芯片还是不能关 ...
检测电路检测的是电压,不是电流,只要输出大于输入约30mv,就会触动保护机制断开,反应时间25ns,随着栅极电压快速下降,导通电阻就会急剧增大,不存在3A反向电流才能断开的问题
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