决定防爆手电筒LED芯片发光亮度的因素，LED芯片组成有哪些
我们知道防爆手电筒性能主要取决于LED芯片功率，其中LED防爆手电筒发光亮度跟其使用的材料相关。TANK007探客作为专业生产强光LED防爆手电筒、LED防爆头灯、LED手持式防爆探照灯的厂家跟朋友们分享关于防爆手电筒LED芯片发光亮度的因素，LED芯片组成。
防爆手电筒LED亮度有哪些？
防爆强光手电筒亮度一般分为普通亮度、高亮度和超高亮度。
普通亮度：R(红色GaAsP655nm)、H(高红GaP697nm)、G(绿色GaP565nm)、Y(黄色GaAsP/GaP585nm)、E(桔色GaAsP/GaP635nm)等；
高亮度：VG(较亮绿色GaP565nm)、VY(较亮黄色GaAsP/GaP585nm)、SR(较亮红色GaA/AS660nm)；
超高亮度：UG﹑UY﹑UR﹑UYS﹑URF﹑UE等。
LED防爆强光手电筒亮度跟元晶片相关，不同元晶片对应不同亮度。
二元晶片(磷﹑镓)：H﹑G等；
三元晶片(磷﹑镓﹑砷)：SR(较亮红色GaA/AS660nm)、HR(超亮红色GaAlAs660nm)、UR(*亮红色GaAlAs660nm)等；
元晶片(磷﹑铝﹑镓﹑铟)：SRF(较亮红色AlGalnP)、HRF(超亮红色AlGalnP)、URF(*亮红色AlGalnP630nm)、VY(较亮黄色GaAsP/GaP585nm)、HY(超亮黄色AlGalnP595nm)、UY(*亮黄色AlGalnP595nm)、UYS(*亮黄色AlGalnP587nm)、UE(*亮桔色AlGalnP620nm)、HE(超亮桔色AlGalnP620nm)、UG(*亮绿色AIGalnP574nm)LED等。
防爆手电筒LED芯片还跟衬底有关
衬底材料是制作LED芯片首先要考虑的问题。像TANK007LED防爆手电筒厂家都会非常重视LED芯片厂家采取何种衬底，才能符合防爆手电筒用户设备和LED器件的要求。目前用于LED防爆电筒手电筒的的衬底材料包括三种：蓝宝石（Al2O3）、硅（Si）、碳化硅（SiC）。
蓝宝石衬底的优势：1.生产工艺成熟、器件质量好；2.稳定性强，能够运用在高温生长过程中；3.易于处理和清洗。
不足之处：1.晶格和热应力失配，容易在外延层中产生大量缺陷；2.属于绝缘体，在上表面制作两个电极，造成了有效发光面积减少；3.蓝宝石硬度高，在光刻、蚀刻工艺的成本高。
硅是热的良导体，导热性能好可延长器件的寿命。
碳化硅衬底，这种衬底制作的器件的导电和导热性能都非常好，有利于做成面积较大的大功率器件，由于电极是L型电极，电流呈纵向流动的。优势：碳化硅的导热系数高达490W/m·K，是蓝宝石衬底的10倍以上。不足：制造成本较高，商业化成本高。
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