dqp05 发表于 2023-7-5 17:49

wlbx 发表于 2023-7-5 17:27
变压器好比发动机排量。氮化镓频率高,好比F1的频率。F1只有1.6的排量,能跑这么大功率就是因为转速高。频 ...



频率高了,传递能量确实大,但效率不一定提高,效率不提高,发热就大,需要大体积散热

dqp05 发表于 2023-7-5 17:51

guyi168 发表于 2023-7-5 16:42
缩的是变压器体积,如果没有变压器,开关电源可以做的很小很小很小



还要考虑散热,不提高效率,就不能无限制缩小体积,否则内部温度太高而烧坏

MAGLITE 发表于 2023-7-5 19:23

dqp05 发表于 2023-7-5 17:51
还要考虑散热,不提高效率,就不能无限制缩小体积,否则内部温度太高而烧坏
...

不坏你怎么买新的呢?
所以我都是降功率使用

muscel 发表于 2023-7-5 21:22

感谢各位大佬解答,大致明白了

zhqsoft 发表于 2023-7-6 10:11

{:5_620:}别盲目哦。
TB买了2款数显30w充电头。
个头差不多,相同功率输出下
标明氮化镓的滚烫滚烫。
普通明确不是氮化镓的已久冰冰凉。
唯一遗憾的是这不是氮化镓的头子显示不是很准。

sdboboda 发表于 2023-7-6 15:26

本帖最后由 sdboboda 于 2023-7-6 15:27 编辑

                                                                                                                                                      
                        


               
为什么有人会一本正经的回答某些人呢?他们显然不是来问问题的。

bamboowalker 发表于 2023-7-6 16:34

老婆饼就是饼

穿越流水线 发表于 2023-7-6 18:37

我也不知道用于那里,变压器就是铁氧体和铜线,用不到啊

MOS管就是沙子提炼的硅,内阻够小即可,

搞不懂那里用得到~

sceips8 发表于 2023-7-6 21:32

科普:什么是氮化镓?
度娘搜这个标题

wlbx 发表于 2023-7-7 00:33

dqp05 发表于 2023-7-5 17:49 static/image/common/back.gif
频率高了,传递能量确实大,但效率不一定提高,效率不提高,发热就大,需要大体积散热
...

实践证明。基本上氮化镓的电源效率都很高。如果你看电脑电源就知道了。装散热片的主要就是开关管和功率二极管。氮化镓的禁带宽度大,导同电阻小,损耗远低于普通硅管。

dqp05 发表于 2023-7-7 01:58

wlbx 发表于 2023-7-7 00:33
实践证明。基本上氮化镓的电源效率都很高。如果你看电脑电源就知道了。装散热片的主要就是开关管和功率二 ...



效率是整体,不是一个 氮化镓高压MOS管决定的;

电源主要功耗 是变压器、初级MOS功率管、次级二极管;

氮化镓目前主要是高压MOS, 氮化镓主要是开关损耗小,开关损耗只是MOS损耗的一小部分;


捱多年 发表于 2023-7-7 08:43

dqp05 发表于 2023-7-5 12:20
变压器 频率 和 MOS 关系不大 ;




不,主要的还是mos非常热,开损耗关损耗导通电阻损耗,不知道小电源为何死钉反激。市面见不到小功率的半桥驱动。按理不是应该体积功率密度更高?

dqp05 发表于 2023-7-7 09:42

捱多年 发表于 2023-7-7 08:43
不,主要的还是mos非常热,开损耗关损耗导通电阻损耗,不知道小电源为何死钉反激。市面见不到小功率的半 ...



我就是做开关电源的,初级MOS损耗不是最大, MOS损耗中 开关损耗只占小部分;
   
为什么都用反激,成本低啊;民用产品,性价比很重要啊,无脑堆料,即使性能再好,价格高了,没人买啊;


捱多年 发表于 2023-7-7 22:42

本帖最后由 捱多年 于 2023-7-7 22:52 编辑

dqp05 发表于 2023-7-7 09:42
我就是做开关电源的,初级MOS损耗不是最大, MOS损耗中 开关损耗只占小部分;
   
为什么都用反激, ...
一般mos的输入电容是3000P左右50KHz下容抗是多少?100K?300V的电压这功率不可忽视吧?氮化镓少几倍啊

dqp05 发表于 2023-7-8 01:06

本帖最后由 dqp05 于 2023-7-8 01:12 编辑

捱多年 发表于 2023-7-7 22:42
一般mos的输入电容是3000P左右50KHz下容抗是多少?100K?300V的电压这功率不可忽视吧?氮化镓少几倍啊
...


你说的输入电容,GS极电容,电压10V多,功耗很低的;


影响大的,是 DS极间 电容,电容很小的,即使300V,功耗也不大;

硅基高压MOS,有2种工艺,早期的工艺 电容比较大;新工艺,即coolmos,电容明显小很多;
   
提示: 电容和电压有关系,电压越高,电容越小;

山丘 发表于 2023-7-8 10:56

dqp05 发表于 2023-7-5 17:49
频率高了,传递能量确实大,但效率不一定提高,效率不提高,发热就大,需要大体积散热
...

70度你觉得已经很烫了,对吧,但是对于铁氧体,铜线这些东西来说,和0℃没什么区别。mos管也能耐120℃以上的温度。

只要电容用好些,塑料件用耐热型号的,并不会应为过热就质量出问题。

反而是普通大体积电源,更容易用劣质电容和劣质塑料,寿命更差。



所以不要用你的感觉评价电源好坏,而是要讲科学。



dqp05 发表于 2023-7-8 11:09

本帖最后由 dqp05 于 2023-7-8 11:15 编辑

山丘 发表于 2023-7-8 10:56
70度你觉得已经很烫了,对吧,但是对于铁氧体,铜线这些东西来说,和0℃没什么区别。mos管也能耐120℃以 ...

像充电头之类,70度是外壳温度,内部温度远远高于70度,特别是功率管、变压器等发热大户;
      
大品牌电源,用料没有差的,体积大,散热好,内部温度低,寿命长;
      
论坛里多人反应,大功率氮化镓充电头,因为温度太高,不能长期满载使用,只能减半使用;
   
当然要讲科学,比如 效率,长期满载时内部温度等 参数;
   

MAGLITE 发表于 2023-7-8 14:04

山丘 发表于 2023-7-8 10:56
70度你觉得已经很烫了,对吧,但是对于铁氧体,铜线这些东西来说,和0℃没什么区别。mos管也能耐120℃以 ...

体积大不见得劣质。联想的130W是比一众专做充电头牌子的120W大不少,但是前者符合GB4943.1海拔5000米的电气性能。后者无一例外限海拔2000米以下使用,仅限非热带地区使用。抛开高海拔的电气绝缘性能,0-120度没区别,干嘛不让热带地区用?还是散热糟糕啊 里面电容受不了吧

liangwh 发表于 2023-7-8 17:45

大家都说了一点点,普通读者看了属于盲人摸象。
这时候需要一篇综述。

changshayou 发表于 2023-10-29 22:40

dqp05 发表于 2023-7-7 09:42
我就是做开关电源的,初级MOS损耗不是最大, MOS损耗中 开关损耗只占小部分;
   
为什么都用反激, ...

有什么耐用+性能好的充电器推荐吗?
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查看完整版本: 请教,氮化镓充电器里到底有哪个原件用了氮化镓