爱随缘 发表于 2011-12-16 16:27

从高中生到HID安定器工程师《第一次更新》

本帖最后由 爱随缘 于 2012-2-2 18:34 编辑

                                          从高中生到HID氙气灯安定器工程师 《此文章写我对HID氙气灯一些了解和研究》

      初二之前有研究过LED,自己做过白光LED,,采用材料有YAG黄色荧光粉,透明环氧AB胶,然后调均匀看着是黄黄的颜色涂在蓝色LED晶片上烘干就成了白色LED了呵呵
      我从初二开始痴迷于HID,,以前只知道氩气金卤灯,高低压钠灯,汞灯,氙灯,汞氙灯,,镝灯,,我家是汽车维修的,,后来有见过HID氙气灯那时候都已经激发我内心对氙气灯研究的渴望,,当时氙气灯比较贵大概在4000-5000元一套吧《飞利浦》的,然后我开始去设想能不能用廉价氩气金卤灯取代氙气灯,,于是就买了G12石英金卤灯和G8.5金卤灯就研究,,当时对电子方面也略有了解但是开发金卤灯电子镇流器还是差的太远,于是就开始深入研究金卤灯的启动特性以及电子镇流器所具有的功能。。慢慢的到了初三,,我停止了对金卤灯的研究开始拼命地学习最后考上了高中,,来到高中的时候我不太适应高中生活,,经过好长的时间我才慢慢适应了这种乏味的生活,,慢慢的我也淡忘了对金卤灯的研究,,一件事情我觉得彻底改变了我,,高一下学期我几乎放弃了学习努力去研究金卤灯,,我开始在各大论坛上去虚心请教虚心学习,,终于我弄明白了,,氙气灯真正的学名叫做《氙气金卤灯》和《氩气金卤灯》在结构上和启动原理上有很多类似的地方,,

  对于商用充氩金卤灯,其启动过程通常都被描述为是首先产生低气压氩—钨辉光放电,由于电极是一对直径较细的钨棒,回路阻抗很小,启动后电流迅速增大,电极上的电流密度很大,电极迅速加热,阴极的电子发射迅速从辉光放电的二次电子发射转化为热电子发射,同时放电模式相应转化为低气压、热阴极弧光放电,此时放电压降由低气压的氩、汞混合气形成的低气压弧光放电决定,通常在15伏左右。随着汞及随后金属卤化物的蒸发,放电逐步转入高气压弧光放电,灯压降亦随之相应升高。
  在前述放电发展过程中从放电起始到辉光放电建立的第一阶段是由触发脉冲完成的。随后从辉光放电向弧光放电过渡的初始阶段,在放电压降仍高于电源电压的情况下其发展仍需靠触发脉冲支持。当放电发展到电弧压降低于电源电压以后,其继续发展直到稳定弧光放电的建立则是由点灯电源自动完成的。放电发展的前期过程持续在毫秒量级,所以触发脉冲持续时间至少需能满足前期放电发展过程的需要,否则将不可能建立稳定的弧光放电。在高压触发脉冲宽度不够的情况下放电电流将不可能持续增加,阴极将不能升温到产生足够热电子发射的程度,弧光放电将不可能建立。因此此类放电的建立对触发脉冲宽度有一定要求,否则放电一闪即灭。多种型号触发器之所以不能可靠地触发金卤灯,大部分不是由于脉冲幅度不够,而是脉冲宽度不足以保证每次触发都能使放电发展为稳定的弧光放电所致。
  上述放电发展过程适用于高压汞灯、高压钠灯、商用金属卤化物灯以及超高压汞灯等初始气体压力较低的弧光放电灯,但对于初始气压很高的灯种如高气压脉冲氙灯,充有高压氙气的金属卤化物灯等的放电发展过程将完全不同。
  Ⅱ 流光放电过程
  氙气金卤灯中的冷态氙气压力在6个大气压以上,这种状态下气体的击穿电压约数万伏(例如车用氙气金卤灯中要求的气体压力为6大气压,相应的触发电压为23KV)。这种状态下辉光放电击穿理论已完全不能适用,这时的放电发展过程与大气中雷电的形成过程相似。
  雷电形成区域通常在离地面5KM以下的低层空间,这一范围的气压在0.8~1大气压之间。雷电的形成过程可以由所谓流光放电理论说明。在二片带不同电荷的云层之间或带某种电荷的云层与地面或地面的突出物之间可能出现数十万伏以至数百万伏的电位差,形成很强的电位梯度。这时空间出现的或从负电荷云层中发射的电子向正电荷云层加速运行时在强电场作用下,在高密度介质中将产生强烈的激发和电离并按雪崩规律迅速发展形成放电通道。这种放电通道头部为密度很高的电子云,并快速向正电荷云推进,同时产生大量激发、电离并向四周辐射光子。所辐射的光子在离开放电通道后或远或近的地方可能产生光电离或光激发。
  在快速发展的放电通道背后质量较重、速度较慢的正离子将停留在空间形成充满正电荷的通道,在该通道形成过程中强烈的电离激发使通道周围或远或近处产生的大量新的光电子,这些光电子在放电通道中的正电荷或正电荷云的加速下发展为新的次级雪崩放电,其中较近的将很快归并到主放电通道中,使主通道迅速加宽、加强。较远的次级放电则向主通道发展,最后形成放电分支(Fig.1)。负云层中的大量负电荷则涌向正电荷通道,快速向正电荷云层推进而更加速了放电通道的发展。当放电通道贯穿了二个云层之间或该云层与地面之间的空间时,则强烈的放电过程立即通过放电通道发展,云层所携全部电荷瞬间释放,形成了数万度以上的高温通道并伴之以强烈的气体膨胀,出现了强烈的电闪雷鸣。由此可见雷电发展过程可分为二步,第一步是放电通道的建立,该步骤是由串联并联在一起的大量雪崩放电完成的,第二步则是大量电荷通过放电通道的释放,这取决于积聚的电荷量与通道状态。
  由对雷电发展过程的描述可以清楚看出这种高气压放电的击穿过程与辉光放电的雪崩过程是完全不同的,如所周知辉光放电的发展是靠电子雪崩产生的离子回到阴极再产生新雪崩放电在放电,由于每次雪崩产生的离子均比上一个雪崩多,从而使雪崩放电不断加大,如此反复多个周期,最后达到了放电自恃的条件γ(eαd—1)=1 [з],这时就形成了稳定的辉光放电,这里γ是正离子的二次电子发射系数;α是汤生第一电离系数、即在该放电条件下一个电子在阳极方向每前进1cm所产生的电离次数,α与气体种类有关,电场愈强气体粒子密度愈高、α值愈大,对于一定的气体α为E/P的函数;d为阳极和阴极间的距离。
  雷电的发展是比辉光放电要强烈快速得多的过程,这是由于在高气压下的电子雪崩过程以及高电压、强电场条件下产生的强烈激发和电离特别是所产生的大量光子在周围甚至在前进途程中不断产生的新的大量次级电子雪崩汇合形成的。这一过程的前提是很强的电场和很高的气压,其特点是在一系列由光子产生的串连的电子雪崩过程完成后立即完成了云层之间或云层与地之间高导电率的放电通道的建立。在随后的强烈电荷释放过程中,巨大的数十万乃至数百万安培电流瞬间通过、使气体迅速加热到数万度以上高温,伴之以强烈电离激发和爆炸式的气体膨胀,而导致惊人的电闪雷鸣的第二阶段放电。第二阶段的前提是云层自身携带的巨大电量或大地提供或接受电子的几乎是无穷的能力,第二过程的发展比第一阶段的发展更快得多。
  根据测量结果分析雷电中电子雪崩过程持续时间通常在10-3秒量级而电荷释放过程则在10-6秒范畴,由于雷电通道很长,通常达数十米至数百米甚至更长,前者发展速度高达1×107~5×107cm/秒而后者推进速度则在108~109cm/秒范围。
  Ⅲ 高气压氙气金卤灯中的击穿过程
  车用氙气金卤灯中冷态氙气压力约6大气压,在这样高的气压下其击穿不可能按辉光放电过程发展,采用照明金卤灯的常用启动方法决不可能使车用氙气金卤灯点燃。点燃氙气金卤灯时是将一脉宽数百纳秒、幅值23KV的高压触发脉冲加到灯的电极之间,这一脉冲的出现使距离为4.2mm的两根针状电极之间出现106V/cm以上的强电场,如所周知在如此强的表面电场作用下,金属表面势叠变狭,隧道效应将引起极强的场致发射,场致发射密度高达106安/cm2以上。场致发射属于冷发射,发射密度虽大,但不消耗能量、也不损伤阴极,这就是这种灯在进行了10万次以上的开关试验后性能基本不变的原因。
  在触发脉冲出现瞬间高密度场致发射的电子流在强电场作用下迅速涌向正极,由于这时空间的电位梯度很高,即使在如此高的气压下E/P值仍然很大,汤生第一电离系数α值很大,加以氙气压力比雷电形成的空气压力高很多倍,而氙气又比空气更易激发和电离,更为突出的是这里的雪崩式放电不是由少数原始电子引起,而是由密度很大的场致发射电子同时推进的几乎是爆发式的雪崩放电。因此高压氙灯中的放电发展速度比雷电发展速度更快,数百ns的脉冲持续时间足以使距离不过4.2mm的整个放电通道击穿,并迅速形成稳定的放电电弧。
  Ⅳ 车用氙气金卤灯着火过程及特性的实验研究
  ECE.R.99对车用氙气金卤灯着火过程速度的要求非常苛刻,该标准规定为点火1秒时光通输出需达目标值的25%,而4秒时需达目标值的80%以上。
  这样的光通上升速率必须有灯参数及镇流器性能的双重保证,最关键的两个因素是:灯中充入了高压氙气,这使触发过程变得很短,而且触发一旦完成立即进入高气压弧光放电,灯的输入功率迅速加大,从而加速了泡壳的温升和汞及金属卤化物的蒸发;第二个重要因素是在启始阶段镇流器输出超大电流,使灯功率超过正常值数倍而加速灯的温升。这两个因素的结合保证了车用氙气金卤灯的温升速度满足了ECE99法规的要求。当然电弧管的形状和体积对灯的温度速升也有重要影响。以雪莱特品牌镇流器与雪莱特氙气金卤灯匹配测得的光通上升曲线示如图2,该曲线共包括5000个测试点,测试点的取样间隔可以调节,总的测试时间为取样间隔×5000。图3曲线的总取样时间为40S。由图可见在曲线的起始部分尖峰(线段1)上反应了触发瞬间的放电发展和闪电式的明亮,触发过后转入稳定的高压氙的弧光放电(线段2),随着电弧管的温度上升和汞蒸发、电弧管压降增加、输入功率加大、光通量上升、因而出现了上升的线段3。在电弧管温度升高到400℃左右时汞的快速蒸发使放电迅速转化为高气压汞放电,因而出现了线段4的上升。在电弧管温度升高到600℃以上时,金属卤化物开始蒸发并参与放电发光这时就出现了线段5的情况。
  如前所述电子镇流器在触发初期输出一超大电流使灯加速温升,经数秒钟当灯压降上升到接近稳定压降时、灯电流将自动降低到正常值。随着灯电流下降,灯功率和光通量亦随之降低并趋向稳定值,这就是线段6和线段7所表明的情况。
  采用测试图2温升曲线的同一组灯和镇流器,缩短采样间隔,将总扫描时间缩短为4S时(即只测Fig.2的温升曲线的1、2、3线段)所得曲线示如Fig.3,由图可以清楚看出该三阶段温升趋势的截然不同。显然起始的峰值是氙气击穿产生的尖峰,但在持续不足100ms以后立即进入稳定氙气弧光放电,光通量随放电电流的增加以及汞的微量蒸发而上升,出现低平线段2。由于电弧管壁温度的继续上升汞汽压力加大,电弧压降逐步升高,放电模式从氙气放电转化为高气压汞氙弧光放电,灯的输入功率以及输出光通量均相应上升(线段3),这三步过程总共持续约2S左右,经过这三个阶段的放电发展,管壁温度已经较高,引起汞的快速蒸发,放电转为高气压汞汽放电,光通量再次上升,在放电发展到约4S时,输出光通量已能满足标准要求。
  仍用同一组镇流器与灯泡进行测试,进一步缩短采样时间间隔,使总读数时间缩短为0.4S,则得Fig.4所示曲线,该曲线实际上是Fig.2,Fig.3上线段1和线段2的前一部分的展开,由Fig.3、Fig.4可见在主峰1前沿还存在一预峰8,峰8的上升前沿(约8ms)实际上是触发脉冲的反应。在峰8顶点整个触发过程已经结束,随后的下降则是由于脉冲消失所致。随着放电的发展和加强,高压触发脉冲形成的放电和所形成的浪涌电流产生了一个涌浪式光脉冲,整个光脉冲的持续时间约100ms即进入了相对稳定的高压氙气弧光放电,在相对稳定的约1S以后汞的蒸发和随后的金属卤化物的蒸发引起了一个接一个的如前所述放电发展阶段。
  Ⅴ 高气压氙气金卤灯的热启动问题
  通常高强度放电灯的热启动是一个难以解决的问题,因为热态电弧管中有几个或几十个大气压的Xe、Hg或Aa及其它金属卤化物蒸汽,没有上万伏的电压很难使这样的灯重新着火,而触发器只能产生3KV左右的脉冲电压。
  人们对汽车用前照灯的要求是即点即亮而不管热态还是冷态,车用氙气金卤灯必须满足这一要求,否则将无法应用。因此设计者采用了23KV的高压触发脉冲,即使在热条件下灯中有高达数十气压的气体和蒸汽,如此高的触发电压和强电场所产生的高密度场致发射将轻而易举地使热态氙气金卤灯击穿。车用氙气金卤灯的热启动标准为:在点燃15分钟后熄灭10秒钟重新点燃,要求1秒时光通输出为2629lm达到目标值的80%。
  Fig.5表明了高压氙气金卤灯熄灭后经5秒钟后重新触发的光通变化曲线,由于这时灯中气压几乎未变化,重新着火后灯压降及其他参数几乎仍保持原先状态,不出现明显的重新着火过程,灯点燃后光通量也迅速恢复到熄火前的数值,Fig.5的总取样时间为4S。Fig.6则是按标准要求测试结果,曲线表明该灯与镇流器的组合在熄灭10s重新点燃后1秒钟达到标准值的82%。该曲线全部取样时间为40秒。Fig.7则是灯熄灭15s后的再启动特性,全部取样时间为0.4秒,这时有一个明显的重新着火过程,而且光通的重新上升也比较缓慢,除启动过程比冷启动过程提前加快而外,Fig.7的曲线与Fig.4的冷态启动曲线是相近的。车用氙气金卤灯的工业化生产已经开始。除功率、用途、功能及光电参数外这种金卤灯与商用金卤灯的基本区别在于这种灯中充有高压氙气,而这一差异造成了二者启动过程和启动特性的不同。车用氙气金卤的启动特性是这种灯应用的关键,研究透彻氙气金卤灯的启动过程和特性对于改进这种灯的参数和启动性能有重要意义,。
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通过上面这个文章大家可以看出氩气金卤灯和氙气金卤灯区别了吧,就这样我看的博士硕士论文不下几百篇我脑子里面的东西也越来越多知道的也越来越多,,慢慢的到了高三了,,我的父母反对我的研究让我拼命地学习,,最后我考上了大学,,但是我并没有上大学而是支身一人来到广州打拼,,我到了一家做安定器的工厂,,,没有几天老板看出了我的才华我就顺理成章的负责了工程部,,在这里工作不算辛苦,,没事上上网学学习,,做做项目和样品,,,就这样不知不觉的过了6个月我觉得我现在长大了许多,,也懂得了许多,,虽然我只有19岁但是我在其他人的眼中觉得我懂得知识很多,,不知不觉我来到这个论坛很久了,,看到大家对HID DIY那么热情我也想加入其中和大家一起分享成功的喜悦,,到了工厂我的物料丰富了不会像以前做个东西还要东找西找了有对HID爱好的朋友可以加我QQ,326960953或者加我群95361779,,大家共同学习共同进取,,关于HID声共振我简单给大家介绍下定义: 声共振是指当频率超过1kHz时,高强度气体放电就会变得不稳定.这种不稳定性被称为声共振.
    原因: HID超过这个频率操作时,灯功率的瞬时变化会导致等离子体温度的波动.因为气体温度和压强的直接关系,温度的波动会促使压强变化,结果压力波动使电弧变形.由于电弧放电是束缚在两电极之间的.因此产生驻波.
    影响:声共振的影响是十分强烈和不可预测的.在一定频率下,一个或两个周期足以使电弧熄灭.另外,电弧形状的变化会改变放电的化学平衡,从而导致灯光色,光强和电器特性的改变.
   2.基本对策
    高频下高强度气体放电灯工作的关键是避免强烈的声共振.目前有三种技术得到采用. 频率跳断,用快速升降的方波点灯,用频率非常高的正弦波点灯(>350kHz). 其实我试验过600KHZ的正弦波去点灯但是还是会发生声共振现象,,所以高频电灯是不可靠的。。。

接下来我们谈下安定器设计的要点,,目前前级采用的拓扑都是反激,,也有是准谐振反激《反激的一种,可以实现软开关以提高效率》,和我们的电源有所不同,,我们的电源一般都是恒压或者横流但是这两种对HID时不适应的,,因为随着灯泡的老化程度不同,,管压以及管流都是会变化的,,所以控制方式是开路最高电压限制在400V以获得击穿放电管所具备的条件《低于或者高于400V都不行,,高了容易击穿后级全桥MOS管,,低了造成点火能量不足,,造成灯无法点亮》来个框图。。http://www.kahtel.com/uploadfiles/201141874750480.jpgHID安定器的难点在于恒功率控制,,目前有两种办法一种采用模糊控制法,,还有种采用PI控制法,,
输入端要有防反接保护,输入滤波电容耐压要够最好多个并联这样可以减少高频纹波对电容造成的冲击减少电容发热量,驱动,,目前有用PWM还有用PFM我觉得PWM PFM同时使用更好,这样对提高效率有很大帮助,,
电流控制一般采用采集前级电流信号有电阻采样有MOSds采样,,电阻采样稳定性不错,,,但是电流大电阻损耗也是很大的,,DS采样这样方法很新颖,,但是缺点也很明显,,不同MOS和不同温度采集DS电压是不同的,,还有一种就是全桥下面串电阻直接采样,,这样的好处可以实时跟踪和检测灯管的电流,来控制前级的占空比,,
电压采样,,一般都是从高压直接串电阻分压采样和采集电流相乘控制占空比实现恒功率控制。。
次级二极管要选用大电流高电压的快恢复二极管因为开路电压在400V左右
全桥控制,,一般工作在400HZ,,启动的时候有直流点灯和低频交流点灯,,我觉得还是直流点灯效果好,每次都能保证顺利的过弧稳定,,直流点灯会造成每次启动都会轰击令一个电极这样会造成受轰击的电极损伤,,但直流点灯没有死区时间所以比较好点,,低频交流点灯会在正负两个周期给灯泡附能这样每次点灯的时候接受轰击的电极是随机的这样寿命会长很多,,但是低频方波为了确保上下管不直通《天地通》加入了死区《盲区》时间来防止这样情况发生,,所以交流点灯没有直流那么好点。。
   

热启动是HID的一个难点,因为当灯泡处于热态时内部气压比较高,,自由电子更少,,再加上金属卤化物会约束自由电子,,所以造成热启动电压超过23KV下面是HID高压触发波形图
http://bbs.dianyuan.com/bbs/u/29/1117430121.jpg
由此图可以看出氙气灯触发峰值电压在23KV,,不光是达到这个电压就好启动氙气灯,,要有一定脉宽的高压才可以很顺利的点亮氙气灯,这一点在PCB布线的时候很有要求的,

由于反激响应速度慢造成热启动续流不够所以还要加上一级续流电路下面是原理图.


file:///C:/Documents%20and%20Settings/aisuiyuan/Application%20Data/Tencent/Users/326960953/QQ/WinTemp/RichOle/7ALZBPD(S3`ZALCIO$(S_3B.jpg 首先空载400V经过4.7K向电容400V4.7UF充电,然后灯启动由于DC-DC响应速度比较慢所以造成热启动多次点灯,,加入这一个电路后电容的电经过M7直接放到灯管两端起到续流作用

再贴几个冷启动热启动包络
http://bbs.dianyuan.com/bbs/u/29/1117430415.jpg热启动http://bbs.dianyuan.com/bbs/u/29/1117430267.jpg冷启动

从波形和介绍我们可以看出小小的一个灯泡和安定器要设计这么多知识,,其实这只是小小的一部分,,最初各大公司不惜花费成千万的资金就研发这个东西,,还有些,,比如说,海蓝星,,电装,,松下花巨资开发专用IC 《ASIC》,,来控制功率啊和各种保护,,但是也有些用普通IC做的比较好的,,比较出名的有名都,,电威,,虽然名都采用的是普通PWM芯片但是质量方面大家是比较认可的,,我也拆解过名都安定器发现做工很一般,,但是测量过个部分波形后才觉得名都的精髓在哪里,,名都在DC-DC方面做的比较到位,,所以温升低,,我亲自在环境32度,,前级MOS没加任何散热器赤手摸了将近10分钟只感到温温的,,,我觉得比海蓝星的前级温度还要低,,,但是海蓝星前级驱动波形带抖动,,为了减少电磁干扰的,,后级驱动,,海蓝星采用负压驱动《负压驱动对减少钠迁移有帮助,,提高灯泡寿命》,,而名都的采用正压驱动,,原因很明显,,负压驱动控制比较麻烦非要专用全桥芯片才可,,分离式结构很难实现负压驱动,,,整体来说名都安定器是不错的

    民用化HID,,氙气灯不能民用化的原因在于寿命比较短,,大概可以连续点4个月,,相对于金卤灯和高压钠灯寿命就少很多了。。目前有陶瓷金卤灯陶瓷金卤灯是多晶氧化铝陶瓷制造电弧管管壳,这种陶瓷是一种半透明材料,其实他的透光率高达96~98%,超过玻璃和石英,但由于直线透光率不超过30%,所以就成了半透明了。这种陶瓷材料能承受比石英高200℃以上的高温,制成电弧管后正常运转温度可以高达1200℃,加以其导热率较高,电弧管本身温度分布较为均匀,即使冷端也在900℃以上,因此充入其中的金属卤化物能充分蒸发,这是陶瓷金卤灯的光效和显色指数高而稳定的原因。陶瓷泡壳的热稳定性和化学稳定性很高,与充入电弧管的材料不发生化学反应,又不存在钠渗漏问题,因此灯性能稳定、光衰小、寿命长.

  
http://imgsrc.baidu.com/baike/abpic/item/3bc6f750e714be721038c2ca.jpg 泡壳的几种基本形状

经过20年的研发和改进,目前灯的基本结构已经定型,虽然专利繁多结构也略有差异,但基本是中央为一个较大的电弧管管体和二端对称设置一对支托电极的袖管(图1)。其管体存在二种基本结构,即圆柱形(a)和球形(椭球或类似球形)泡壳(b),前者为飞利浦和GE的专利,他采用的是五件或三件装配结构,后者为整体球形结构,欧司朗使用的则是中间有接缝的二件组装球形结构(c),此外还有多种圆柱状的二件及三件组装结构的电弧管(d)。

  多件组装电弧管壳是利用烧结时外套件收缩率大而使各组件紧箍在一起,并在交界面晶粒相互交错生长而结成一体的。但如材料、工艺及烧结温度等略有偏移则结合部可能产生气线、气泡,制成灯后难以承受运转时反复的热冲击而导致放气漏气或炸裂。整体结构泡壳虽然成型较为复杂,但具有较好的质量保证。

  陶瓷金卤灯的另一结构上的特点是电极,GE、飞利浦的电极结构示如图2。

  
http://imgsrc.baidu.com/baike/abpic/item/5d212aa84e9df59fcb130cd5.jpg 图2- GE及飞利浦的电极结构

其结构是在铌杆前端为一绕有钼螺旋的较细钼杆,钼杆前端则为一段更细的钍钨丝杆,其前端绕有数圈钨丝。此种结构的电极直径较粗能填满电弧管的袖管,但又有相当柔性,不致因温度变化而给陶瓷袖管过大应力使之撑裂;这种电极有足够好的电导率,而热阻较大,从电极尖端或电极引线传向陶瓷袖管的热量较少,不致引起过高升温而影响封接可靠性。

  上述电极结构虽然十分巧妙可靠但制造复杂,而且在电极与陶瓷袖管之间存在较大空隙,运转时大量金属卤化物渗入并沉积其中,影响灯参数如灯压降、光通量、色温和显色指数的稳定性。
我们都知道氙气金卤灯和氩气金卤灯在气体上充的不一样,,如果把陶瓷管装到氙气灯里面这样亮度和寿命又有了质的飞跃,,这个有待研究啊。。。。但目前因为陶瓷管的工艺在国外被垄断价格一直处于很高的状态说以想民用化还要等待啊,,对了,,聪明的人会看到石英金卤灯和陶瓷金卤灯和氙气灯内胆不太一样,http://www.poozhao.com/54/HCI/HCI-TF1.jpghttp://njzydz.com/ProductsPics/20110106141118.jpghttp://img.qy6.com/bus/2010/1030/2414035.jpg看内胆一个问题出现了,,氙气灯和陶瓷金卤灯内胆没有排气管而石英金卤灯是有排气管的,,,这个原因很简单的,,因为石英金卤灯有了排气管后可以随意的充和抽气体,,而氙气灯和陶瓷金卤灯由于工艺不同,,氙气灯为了追究更细更小巧采用了无排气管技术,,这个技术要用到手套箱,,这个东西比较昂贵,,石英金卤灯由于没有受到空间的限制采用了有排气管封装技术,,而陶瓷金卤灯是一种新型的灯泡,,他的封接技术不同于氙气灯和石英金卤灯,,,




http://lrhid.com.cn/admin/admin/upload/2009310125039.JPG手套箱http://www.cnoya.net/image/sb01.jpg





以后会设计两种一种是民用一体化HID一种是9_32v宽电压安定器这个基本完成
民用HID不同于车用因为车用要升压而民用要降压其实隔离式反激是Buck_boost一种变换他既可以升压也可以降压但隔离式注定了他的效率不高'''所以我们采用非隔离式BUCK降压电路'''BUCK电路基本结构   http://imgsrc.baidu.com/baike/abpic/item/7ab514d19388ede1572c84a1.jpg

开关导通时等效电路 开关关断时等效电路
等效的电路模型及基本规律   http://imgsrc.baidu.com/baike/abpic/item/e6508eef2190b8ddce1b3ead.jpg


  (1)从电路可以看出,电感L和电容C组成低通滤波器,此滤 波器设计 的原则是使 us(t)的直流分量可以通过,而抑制 us(t) 的谐波分量通过;电容上输出电压 uo(t)就是 us(t) 的直流分量再附加微小纹波uripple(t) 。
  (2)电路工作频率很高,一个开关周期内电容充 放电引起的纹波uripple(t) 很小,相对于电容上输出的直流电压Uo有:
   http://imgsrc.baidu.com/baike/abpic/item/a8ad941386c453e2f6039e33.jpg


  电容上电压宏观上可以看作恒定。 电路稳态工作时,输出电容上电压由微小的纹波和较大的直流分量组成,宏观上可以看作是恒定直流,这就是开关电路稳态分析中的小纹波近似原理。
  (3)一个周期内电容充电电荷高于放电电荷时,电容电压升 高,导致后面周期内充电电荷减小、放电电荷增加,使电容电压上升速度减慢,这种过程的延续直至达到充放电平衡,此时电压维持不变;反之,如果一个周期内放 电电荷高于充电电荷,将导致后面周期内充电电荷增加、放电电荷减小,使电容电压下降速度减慢,这种过程的延续直至达到充放电平衡,最终维持电压不变。这种过程是电容上电压调整的过渡过程,在电路稳态工作时,电路达到稳定平衡,电容上充放电也达到平衡,这是电路稳态工作时的一个普遍规律。
  (4)开关S置于1位时,电感电流增加,电感储能;而当开关S置于2位时,电感电流减小,电感释能。假定电流增加量大于电流减小量,则一个开关周期内电感上磁链增量为:
   http://imgsrc.baidu.com/baike/abpic/item/dc854fda123708e9b7fd480b.jpg


  此增量将产生一个平均感应电势:
   http://imgsrc.baidu.com/baike/abpic/item/4651a7124b06f2fcc2fd7809.jpg


  此电势将减小电感电流的上升速度并同时降低电感电流的下降速度,最终将导致一个周期内电感电流平均增量为零;一个开关周期内电感上磁链增量小于零的状况也一样。这种在稳态状况下一个周期内电感电流平均增量(磁链平均增量)为零的现象称为:电感伏秒平衡。这也是电力电子电路稳态运行时的又一个普遍规律。
电感稳态工作过程分析   http://imgsrc.baidu.com/baike/abpic/item/f29faa8fd30e8bdcf01f36a9.jpg
http://imgsrc.baidu.com/baike/abpic/item/42e89c2676f02c258a82a1e4.jpghttp://imgsrc.baidu.com/baike/abpic/item/4075890a5f40172d95ca6be5.jpghttp://imgsrc.baidu.com/baike/abpic/item/b29f8282b048fe8d6c8119e7.jpg

  


   关于民用HID我后续会写原理和工作过程和实用性,,



目前主要做的是调试9-28V我觉得到28V就可以了宽电压安定器,,我会把研究的一些难点和图片发上来供大家学习和研究

   过年了一直没有忘记我的安定器天天晚上在家设计PCB         
9-28V超薄8MM安定器PCB已经完成此安定器有3个作用,,交流,,直流,,摩托车一体化,,最新独创交流安定器可以区分直流交流灯泡(如果装的直流灯泡输出是直流。。如果接的是交流灯泡输出的是交流方波)   我觉得宽电压安定器难点在于恒功率和冷灯短路保护,,,冷灯短路保护是安定器在不同的启动电压冲击是不同的,,,我设计成一种自动采集输入电压达到自动识别短路保护,,,从9-28V任何一点都可以很好的实现短路保护,,,海蓝星我测试过在31V以上冷启动就当做短路保护了,,大家有时间可以试下外壳还在设计当中,,我觉得质量稳定才是最重要的,,,此平面变压器也是第一次尝试见过论文有用这用,,普通超薄都是EI平面变压器,,这样AE小发热量大,,,我这个很轻松做50W

dazhu88 发表于 2011-12-16 16:46

沙发 慢慢看~!

河溪 发表于 2011-12-16 16:47

板凳{:1_254:}

cnmd50177 发表于 2011-12-16 18:06

居然耐心看完了,再加点东西直接就是篇论文。。。
觉得楼主考上了大学没去上是个遗憾,大学里能学到的东西真的很多,只要你肯学

xmdzshz 发表于 2011-12-16 18:45

墙贴流明慢慢看

爱随缘 发表于 2011-12-16 19:07

哎,,怎么说呢,,过去就过去了,没什么好遗憾的

sdoyl 发表于 2011-12-16 19:28

本帖最后由 sdoyl 于 2011-12-16 19:30 编辑


觉得楼主考上了大学没去上是个遗憾,大学里能学到的东西真的很多,只要你肯学
cnmd50177 发表于 2011-12-16 18:06 http://www.shoudian.org/images/common/back.gif

假如楼主考上大学,可能为了毕业证学位证四级证而被逼学自己不感兴趣的东西最终继续沦为考试机器毕业后成了很一般的庸才而成不了HID安定器工程师,变得和我们一样。

爱随缘 发表于 2011-12-16 19:35

呵呵,,是啊,,追求自己喜爱的东西呵呵,,我目前在研究激光,,这些也不光是我写的有很多都是总结别人的经验加上自己的调试

zuka 发表于 2011-12-16 20:01

首页留名,慢慢看{:1_270:}

人生三愿 发表于 2011-12-16 20:05

等楼主出成品{:1_254:}

shinetop 发表于 2011-12-16 21:56

这么好的文章,很久很久都没看见过了,一定要顶

爱随缘 发表于 2011-12-16 22:21

谢谢祝大哥了

mailthon 发表于 2011-12-16 22:29

理论学习还是要的,以后你就会知道的。

gpyhy 发表于 2011-12-17 00:38

很专业,看不懂,须学习。

狗狗蛙 发表于 2011-12-17 02:57

来学习一下~

男人dj 发表于 2011-12-17 06:27

好帖要留名

没有胡子的老虎 发表于 2011-12-17 07:17

我怎么看着像广告?

爱随缘 发表于 2011-12-17 08:15

呵呵区区为了做广告而浪费这么多时间真是太不应该了对吧'''

52638401 发表于 2011-12-17 11:04

太长了,是写经历还是啥的?

X-RPG 发表于 2011-12-17 11:53

长江的后浪。
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查看完整版本: 从高中生到HID安定器工程师《第一次更新》