没有寄生二极管的MOS？？
这两天在折腾YPF白菜移动电源，在研读了USB保护电路RT9711的DataSheet的时候发现，里面有一段，说RT9711内置的特殊开关MOS没有寄生的体二极管，所以不会反向倒灌。这让我想起前一阵在设计太阳能电池供电防倒灌电路的时候，就是因为MOS带有寄生二极管，搞得我很难受，没法用一枚MOS单管实现低串联电阻的防倒灌。
这个RT9711采用的特殊MOS貌似就可以用在这种场合。不过我当然不可能把RT9711里面的内置MOS拆出来，问题是市售的各种分立件的MOS管当中，貌似没有这种特殊结构的MOS？是因为这种结构实现难度比较大吗？我觉得很多应用场合下，那个寄生二极管都挺讨厌的。
两个摸死反向串联就可以了 mytomatoes 发表于 2012-4-5 12:35 static/image/common/back.gif
两个摸死反向串联就可以了
两枚MOS反向串联？同极性的MOS么？能否给一个示例电路？例如两枚NMOS做电源开关并且防止倒灌，电路怎样实现？原理是怎样的？
刚百度了一下，貌似纵向沟道的MOS（功率MOS多数都是这种结构）都有寄生二极管，而平面结构的MOS没有寄生二极管，不过平面结构的MOS一般功率不大。
jfet没有…然后没有寄生二极管可以参考8205的接法… ypf 发表于 2012-4-5 12:49 static/image/common/back.gif
jfet没有…然后没有寄生二极管可以参考8205的接法…
我知道JFET木有寄生二极管……{:1_301:}
8205接法？两个NMOS漏极相连？那么这个等效器件是不是相当于一个D和S可以颠倒使用的NMOS？串联电阻情况怎样？
我的帖子。类似这样接
http://www.shoudian.org/thread-253188-1-1.html 如果电流要求不是太大，对控制电流要求不是太苛刻，有不少三极管的饱和压降和MOS差不多的，贝塔值也很高。 mytomatoes 发表于 2012-4-5 12:58 static/image/common/back.gif
我的帖子。类似这样接
http://www.shoudian.org/thread-253188-1-1.html
谢谢！貌似只能这么干了。
wave02 发表于 2012-4-5 13:08 static/image/common/back.gif
如果电流要求不是太大，对控制电流要求不是太苛刻，有不少三极管的饱和压降和MOS差不多的，贝塔值也很高。 ...
貌似双极三极管饱和压降一般都有0.2V了吧？例如1.5V的太阳能电池应用，0.2V太大了。
Fireflying 发表于 2012-4-5 13:16 static/image/common/back.gif
貌似双极三极管饱和压降一般都有0.2V了吧？例如1.5V的太阳能电池应用，0.2V太大了。
...
FMMT618手册里给的CE饱和压降典型值，最大值大致是在这个基础上乘2.：
IB=10mA的时候，IC=0.1A时是8mV，IC=1A时是70mV。
wave02 发表于 2012-4-5 13:21 static/image/common/back.gif
FMMT618手册里给的CE饱和压降典型值，最大值大致是在这个基础上乘2.：
IB=10mA的时候，IC=0.1A时是8mV，I ...
8mV？那么低的压降？达到这种水平的三极管多见吗？
Fireflying 发表于 2012-4-5 13:27 static/image/common/back.gif
8mV？那么低的压降？达到这种水平的三极管多见吗？
FMMT617/618这个型号你看的挺陌生，其实原来很多C2手电原来用那个ZXSC310芯片的板，配套的三极管就是FMMT617.
这个管子那个东城还是小小有卖的，我当时买过几个，也不贵，好像1元左右。
Fireflying 发表于 2012-4-5 12:44 static/image/common/back.gif
两枚MOS反向串联？同极性的MOS么？能否给一个示例电路？例如两枚NMOS做电源开关并且防止倒灌，电路怎样实 ...
想想锂电池保护板就知道咋回事了。就是两个MOS来控制充放电。截止后可以停止充电或者放电。充电和放电其实就是相互的倒灌过程。 不可能有的，现在工艺条件决定了的，必须有体内二极管，没有就是行为两个mos 反向的 本帖最后由 Fireflying 于 2012-4-5 17:18 编辑
手电发烧友 发表于 2012-4-5 14:24 static/image/common/back.gif
不可能有的，现在工艺条件决定了的，必须有体内二极管，没有就是行为两个mos 反向的 ...
这么说RT9711的手册玩的是文字游戏？
VIN (input) is the power source connection to the internal
circuitry and the drain of the MOSFET. VOUT (output) is
the source of the MOSFET. In a typical application, current
flows through the switch from VIN to VOUT toward the load.
If VOUT is greater than VIN, current will flow from VOUT
to
VIN
since the MOSFET is bidirectional when on.
Unlike a normal MOSFET, there is no a parasitic body
diode between drain and source of the MOSFET, the
RT9711 prevents reverse current flow if VOUT being
externally forced to a higher voltage than VIN when the
output disabled (VEN > 2V).
没这个管子保护，就真成“摸死管”了 chillmax 发表于 2012-4-5 18:54 static/image/common/back.gif
没这个管子保护，就真成“摸死管”了
跟保护不保护无关，寄生二极管是生产工艺不可避免带来的，初衷也不是用来保护的。只不过寄生二极管正好可以用来续流而已。
提示LZ一下···tp4056的也没有····· wave02 发表于 2012-4-5 13:21 static/image/common/back.gif
FMMT618手册里给的CE饱和压降典型值，最大值大致是在这个基础上乘2.：
IB=10mA的时候，IC=0.1A时是8mV，I ...
这个三极管功耗太小了。 看来市面上没有不带寄生二极管的分立MOS器件。
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