那个AVR单片机中的PWMH、PWML不是真正的PWM，而是GPIO通过软件仿真的，因为手电并不需要太精确的PWM值，ATtiny12L正好。
输出驱动能力确实欠考虑，AVR高输出可到1.5mA,3条腿并联就是4.5mA,如果驱动AO3416，它的输入电容是1000p ...
G级驱动的上升、下降时间计算，不是按照输入电容计算的，应该按照总栅极电荷计算，因为还有密勒电容的影响，等效的输入电容比1000pF要大很多。按照AO3416的资料，要想取得0.7uS的上升时间，最少需要22毫安输出电流，上升时间加上下降时间，留点余量，差不多1uS，如果开关频率100KHz，那么周期就是10uS，上升、下降时间占据了1uS，推挽的话，两个开关管就要占据2uS时间，这样效率也不高了。
多个I/O端子并联，端子间的延迟误差也会造成实际输出能力不是简单叠加，这些因素必须考虑进去。不是想当然这么容易的，要不这些测试效果我早作出来了。很高兴能有同道深入讨论这些问题，或许哪天灵感一现，更强的电路就出来了:lol
[ 本帖最后由 ldch 于 2008-3-17 01:27 编辑 ] 看到了一大堆我看不懂的术语，突然发现我是个豺狼....不对，是菜狼....:Q 楼上兄弟，夜猫啊
我找了个参考图，虽然是降压模式的，可以参考参考
[ 本帖最后由 ldch 于 2008-3-17 01:36 编辑 ] 我刚从ldch大哥处学会玩34063，正兴致勃勃玩34063ing~~找了好几块503759锂聚，正要做个大容量的DC-DC 5V:lol 虽然看不太懂不过觉得这贴真好...
PS 祝楼上朋友早日康复:) 原帖由 skip005 于 2008-3-17 07:56 发表 http://www.shoudian.org/images/common/back.gif
呵呵，Ldch兄弟和我想到一起了。其实我在论坛上很久了，一直在潜水，现在天天都在家养伤才天天都来论坛
看。能找到那么多对1AA课题感兴趣又有开发能力的朋友真的很好，我喜欢在讨论中听到不一样的意见，只有这样才能让我们都精 ...
同感，失败比成功多，好元件不好找，经常从垃圾里面找材料 我就喜欢技术贴！:lol :victory: 虽然我不精电路，但感兴趣1AA板，也喜欢上高手电路技术讨论一边听课一边学习！:victory: 支持各位高手，常言说得好，失败是成功他娘，希望看到更好的1aa电路出现
小生拜上
回复 #21 ldch 的帖子
最新进展：使用At90s1200（古老的存货），驱动26nQ的NMOSFET（手头没有AO3416，它是16nQ），上升沿1uS，
明显短于理论计算，因为上升沿是个瞬态过程，在上升初期AVR的驱动能力高于末期。
而且如果换用AO3416，gate charge小40％，换用ATtiny13，驱动能力大3倍，在加上3脚并联，上升沿有望
小于0.1uS。
周末去采购元件验证。
如果要追求极致
如果要追求极致，那么可能也就是只有一套小电流的升压电路先工作然后来驱动主PWM电路，技术上没什么问题，关键是成本有多少人能接受？要我做的话估计样板不会低于80 请教，14楼图中MOS部分是升压电路吗？电感怎样做？ 原帖由 rots 于 2008-3-18 19:03 发表 http://www.shoudian.org/images/common/back.gif最新进展：
使用At90s1200（古老的存货），驱动26nQ的NMOSFET（手头没有AO3416，它是16nQ），上升沿1uS，
明显短于理论计算，因为上升沿是个瞬态过程，在上升初期AVR的驱动能力高于末期。
而且如果换用AO3416，gate charge小40％，换用ATtiny13，驱 ...
好啊，可以试试，参予讨论就会有好结果，欢迎！
不过刚才查查AT90S1200的资料，管脚太多了点，试验试验无妨。
回复 #35 ldch 的帖子
今天进展：high side自举升压不能工作，所以电路还是不能同步整流，看来只能换PMOS了，
但是这样要多一只续流二极管 原帖由 Paul73 于 2008-3-20 22:02 发表 http://www.shoudian.org/images/common/back.gif
老大说的不错，但有些不敢苟同：据我所知，ＡＶＲ中的 ｔｉｎｙ２５、４５、８５、就有互补输出的ＰＷＭ，而且还带死区控制，做同步升、降压是最好不过了。至于驱动能力的问题，每个ＩＯ口１５ｍＡ驱动一个电压控制的ｍｏｓ也不见得不行，大不了增加个把管子推动一下。并且，这几个型号 ...
这个单片机不错，谢谢兄弟，有空找找看:D 东成夜猫子习惯还没有改呀！:L