求教：MOS管的导通电阻会随着电流增加而增大吗？
曾经遇上过这样的事：电动车电池用3+3MOS的保护板时很肉，换成7+7MOS的保护板后就不肉了。我由此推断MOS管在大电流时内阻会急剧增加，导致电流输出能力下降，不知道是不是推断错误了。
刚才在电动车论坛跟人讨论，别人的观点是MOS在电流增大时只是发热增大，内阻并不会增加。
他的意思应该是只要MOS管不烧毁，大电流使用除了发热大点没别的影响，不知道是不是这样。
我这会儿忽然又在想，MOS导通时，是不是像二极管那样会保持一个基本恒定的导通电阻，也就是说电流越大反而显得内阻越小？
这个问题很简单么，电阻一定电流越大mos管上耗散功率越大，功率耗散在管子上了，你电机还有能量么？
woaidianyuan 发表于 2017-2-4 01:15
这个问题很简单么，电阻一定电流越大mos管上耗散功率越大，功率耗散在管子上了，你电机还有能量么？
...
3MOS的内阻肯定是比7MOS要大，
但是这内阻都是豪欧级的，带来的压降可能也就是0.2V和0.5V的差别，不可能会一个肉一个强。
我是担心MOS在大电流时内阻会急剧增加，
比如在5A电流时内阻10毫欧，在10A电流时内阻急剧增加到30毫欧，产生巨大压降，从而导致输出能力降低。
如果真是这样，
那么当保护板上的MOS较少时，单个MOS的电流就会很大，就会变成不良导体，出现输出能力不足的情况。
工作区内内阻和电流几乎无关，和温度有关
3+3内阻比7+7大，相同电流相同Vgs下电压降更大
电流大，压降就大。电流越大，差距就越明显啊。
电阻一般不会变，就算有些许变化也没太大影响。
肉不肉取决于输出电流大小。7mos相当于7并输出，肯定比3mos输出电流大 反了，电流越大动态电阻越低。
极小电流也有一个微弱压降。
不能吧
MOS导通电阻有个范围，低压大电流的MOS一般导通电阻很低，导通电阻范围也很小，通常不会出现楼主说的情况，除非MOS选型有问题或连接线过细。电动车启动电流很大，如果MOS本身的导通电阻达几十毫欧则有可能出现楼主说的情况。 越热越大，越大越热，再大不热，然后就挂了。。。。前提是散热足够mos内阻可以在非常小的范围内变动。要求不是特别高的可以把mos当成采样电阻。很多DCDC的限流都是这么干的，低端mos充当电流限流采样。 怒独僧 发表于 2017-2-4 01:54
3MOS的内阻肯定是比7MOS要大，
但是这内阻都是豪欧级的，带来的压降可能也就是0.2V和0.5V的差别，不可能 ...
10变30太夸张了。除非国产小芯片mos。散热不良。10A10m欧熱耗1w。原装大芯片mos普通铺铜就可以承受。国产mos呵呵你懂的。
我用8103A DFN8过5A。内阻纹丝不动 怒独僧 发表于 2017-2-4 01:54
3MOS的内阻肯定是比7MOS要大，
但是这内阻都是豪欧级的，带来的压降可能也就是0.2V和0.5V的差别，不可能 ...
另外你说
他的意思应该是只要MOS管不烧毁，大电流使用除了发热大点没别的影响，不知道是不是这样。
答案是的。具体请看该mos的pdf。有一项参数好像是PD什么的。sop8普遍都有2w朝上的最大热损耗。只要持续发热没有超出设计。那就是正常的。当然有条件降低最好。。。。像那种大管子熱耗能上200w。1000w的都有。那就适合搞电子负载了，单管200w呵呵呵跑题了 还有这个：刚才在电动车论坛跟人讨论，别人的观点是MOS在电流增大时只是发热增大，内阻并不会增加。；；；；电流增大发热肯定增大，但是他忘说了。压降也增大了。这就是你起步肉的原因。 MOS管是正温度系数器件，温度越高，内阻越大。这也是MOS可以直接并联使用的原因，哪个电流大了，内阻升高，电流就均到其它并联的MOS上了，具有自动均流的作用，三极管正好相反所以几乎见不到三极管并联的应用实例。3个并联，发热肯定大，电流越高，发热越大，内阻也越高，压降也就大了。7个就好了很多了。 对于期末考试电路60+分，模电60+分，数电70+分的我来说，表示不懂帮顶http://www.shoudian.org//mobcent//app/data/phiz/default/03.png
jinsddn 发表于 2017-2-4 04:15
电阻一般不会变，就算有些许变化也没太大影响。
肉不肉取决于输出电流大小。7mos相当于7并输出，肯定比3mos ...
对于多并来说其实提高的并不多是电流。对于20A电流来说普通的大管单管就小意思。多并是为了减小内阻。内阻小了压降也小了。。当然输出线也得巨猛才行。别搞个多并mos把内置减小到一只手m欧。输出线还是很细那就白搭了。 mos管我倒是有点印象，放在二极管那章学习的，叫啥场效应管是吧http://www.shoudian.org//mobcent//app/data/phiz/default/01.png
但是想了下单纯的压降是不会让电动车那么肉的。毕竟内阻再升高，也仍然是毫欧级别的内阻。还有一个原因我想可能是MOS的驱动不够给力。给MOS的栅极电压不足导致MOS处于线性放大区，这时候相当于一个恒流器件，导致电流上不去，等于是限流了。7个可能也处于恒流区，但是7个并联的总电流足够电动车的最大电流了。还有一个原因可能是3mos的保护板本身有过流保护，限制了最大电流。7mos的肯定最大电流要比3mos的大很多。这个是本子本身设置的问题了。最后一个可能性就是保护板的过流检测就是利用MOS本身的内阻作为采样电阻，直接的结果就是3mos的并联电阻要比7mos的并联电阻高，结果就是过流保护要比7的小很多了。我不是做电源保护板的，我只是做过LED驱动，以我对MOS的理解推测的。有误还请大神指正。 与电流无关，与温度成正比，在最高工作温度时导通电阻会增大1倍左右，不会暴升。
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