求东城兄单锂驱动SSC P7调光电路图
是否是下面 直驱电路图中的 Q1 N-MOS 改成了中功率管 完整功能的图：
如果不需要断电复原，那面51K串联4.7uF可以取消
小功率N-MOS换成大功率N-MOS:lol
[ 本帖最后由 ldch 于 2008-5-25 12:37 编辑 ] 是东城兄啊:lol ，谢谢:) :) :lol
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右边那个肖特基实际有用吗？ 同楼上的问～其实现在自己很不看好肖特基的～:lol 右边的肖特基主要考虑由于电流比较大，电路板到LED之间的引线多少有点分布电感，可能会有少许尖峰存在，有这个肖特基可以把这个隐患消除掉。实际上就算去掉也不会有什么大的影响回复 6楼 的帖子
天哪，我是在怀疑这个，但没想到真的有....但是这种尖峰我拿一万的数字示波器是测不到的....[ 本帖最后由 zhouling 于 2008-5-25 18:20 编辑 ] 原帖由 zhouling 于 2008-5-25 18:09 发表 http://www.shoudian.org/images/common/back.gif
天哪，我实在怀疑这个，但没想到真的有....但是这种尖峰我拿一万的数字示波器是测不到的....
防备万一嘛。用P7的都是大块头筒，引线或许有长点的。反正7135板有时都会因为有电流巨变而引起导线震动发声，所以就算电感量很小，也是存在的。可能杞人忧天了吧。反正我没有很好的示波器，测不出来，所以只好从原理上规避风险了。
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人家卖东西是能少就少，你是....唉 回复10楼 的帖子所以我在东城兄定做的调光电路，他会给我多做几挡调光来。:( :L :victory: :lol P7内部本来就有反向二级管了阿？
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那你就认了？ 回复 14楼 的帖子用着还行，就不麻烦东城兄了，他太忙了:)
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呵呵呵:) 东成的东西真像哪个兄弟说的像美国货啊!佩服!严谨的态度很好啊!佩服! 原帖由 xiewg 于 2008-5-25 19:12 发表 http://www.shoudian.org/images/common/back.gif
P7内部本来就有反向二级管了阿？
我知道啊，但那个二极管在LED内部，对外部导线的自感电动势没有作用。加上这个二极管后，就算接反，由于肖特基电压低，烧也要先烧肖特基，此为其一。这个肖特基容量不是很大，成本增加不多。所以后来想想，还是增加上去吧。
其实，还有个考虑，就是线电感引起的自感电动势就算不算大，但由于大功率MOS的米勒电容较大，这个电动势经过米勒电容进入单片机接口的话，可能会干扰单片机的动作。这就是某些其他调光电路大功率无法稳定调光的原因之一。看似影响不大的物理量，实际可能造成很大影响，而这是很难测量的。所以，理论上这么分析，实际上增加这么个元件，效果上确实很稳定，就算LED把整个筒烤得烫手，调光换挡照样进行。
P7的电流3A时，电压大约3.6V。18650锂电的内阻小于60毫欧的算是比较好的，开关弹簧组件的电阻质量好的通常10～20毫欧，电池跟电路板和弹簧等的接触电阻也算10～20毫欧吧，这样总共有约100毫欧电阻。MOS管4.5V时的电阻10毫欧左右，但锂电到达电路板上的电压最高也不会到4.5V，只有3点几伏，所以MOS的开通电阻往高出算，也要有几十毫欧，所以，算算吧，就算锂电满电，想超过3A太多不可能。所以，适合单节18650供电的场合。所以我也说明，如果换用其他内阻低的锂电，最好给LED串个小点的电阻限制一下最大电流。当然，发烧追求高亮的就无所谓了，应该也不会增加太多。
[ 本帖最后由 ldch 于 2008-5-25 22:59 编辑 ] 电路很简单，但电流大了，任何一点电阻都要考虑进去，任何一点分布电感也考虑进去，有没有影响先不管，万一有影响，由于有相关元件做后盾，没事。没有这些元件，则一旦有问题，表现就是不稳定。
就像开始设置欠压检测，本来考虑开机后先检测电压，正常才工作，当工作过程中检测到电压低就立马进入欠压响应子程序。但实际工作中则发现，由于接触电阻不是每个筒都能做得很小，装配工艺的不稳定会造成接触电阻有较大的情况，那么通电后单片机还没初始化完成时电压较高，一旦开启MOS管，电压立马被拉下来，但随着MOS关闭电压也随之升高，或者说MCU的电源端可能会有较大纹波，最终会干扰单片机程序运行，造成档位混乱。那么之后给响应程序加上适当延时，效果就改善了。
所以说，虽然是简单玩玩，但仔细考虑的话还是有很多细节需要注意的。哪怕一个直驱电路，不仔细考虑也会失败的。 下次搞实物上来，不会看这种图啊
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