嘿嘿，赞一个哈，本来已经不烧镍氢的充电器了，看来GXLL又让我中毒了
哈哈，把你谗虫引出来了吧。近来，你有什么新动向没？
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以前几块没投的小板子准备和一个BUCK-BOOST的大板子拼一起投PCB，呵呵，现在争取哪里去攒点“研究”经费哈 原帖由 tswork 于 2008-9-9 07:37 发表 http://www.shoudian.org/images/common/back.gifGXLL,俺是真的想要，可以先支付
不是钱的问题，最起码要测试几天吧，看看各种电池停充的精度如何。而且LTC4010有个镍铬和镍氢的选择脚，我想看看直接用镍氢的模式可以冲镍铬不。否则还得加个开关
[ 本帖最后由 gxll 于 2008-9-9 16:22 编辑 ] 原帖由 zhouling 于 2008-9-9 16:16 发表 http://www.shoudian.org/images/common/back.gif
以前几块没投的小板子准备和一个BUCK-BOOST的大板子拼一起投PCB，呵呵，现在争取哪里去攒点“研究”经费哈
升降压，有兴趣，具体参数说来听听，好的话，给我也搞一个
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恩，这个测试的确是重头戏，以前记得有个说法是，能冲镍氢的就能冲镍镉，能冲镍镉不一定能冲镍氢....这个我没实践过， 看充电电流，如果充电电流在1c以上，一般都可以通用。但用充镍氢的冲镍镉稍微要欠些，冲镍镉冲镍氢一般要过冲些，影响不大。但如果低于1c充电，冲镍镉的最好不要来冲镍氢。容易误判，不停充。现在刚摸LTC4010，对它判停的灵敏度还不是了解，所以要多冲几种电池来了解下
[ 本帖最后由 gxll 于 2008-9-9 16:30 编辑 ]
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就是LT3780的哈（LT3785没申请到），4个TO263的mos，芯片是QFN32的，两层版有点勉强，为了效果已经确定要走飞线，这个纯粹是玩的，最后怎么样还不一定，好的话给你留一个 原帖由 zhouling 于 2008-9-9 16:29 发表 http://www.shoudian.org/images/common/back.gif就是LT3780的哈（LT3785没申请到），4个TO263的mos，芯片是QFN32的，两层版有点勉强，为了效果已经确定要走飞线，这个纯粹是玩的，最后怎么样还不一定，好的话给你留一个 ...
留，一定要给我留两块，3780我手上有两块，就是还没pcb，借您的东风了，哈哈 原帖由 zhouling 于 2008-9-9 16:29 发表 http://www.shoudian.org/images/common/back.gif
就是LT3780的哈（LT3785没申请到），4个TO263的mos，芯片是QFN32的，两层版有点勉强，为了效果已经确定要走飞线，这个纯粹是玩的，最后怎么样还不一定，好的话给你留一个 ...
仔细看了，是QFN32的，晕，我们两的封装不一样。看我白流了一地口水
LTC3780的pcb的确不好布，而且对走线要求极高，一个地点没搞好，电流或电压就上不去。就因如此，我才迟迟没动手。
[ 本帖最后由 gxll 于 2008-9-9 16:37 编辑 ]
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这个确实是啊，两层版有难度啊，你是SSOP的？当时申请的时候想着QFN可能散热会好点，毕竟4个大mos要靠他驱动来着 原帖由 zhouling 于 2008-9-9 16:42 发表 http://www.shoudian.org/images/common/back.gif这个确实是啊，两层版有难度啊，你是SSOP的？当时申请的时候想着QFN可能散热会好点，毕竟4个大mos要靠他驱动来着
我是ssop的，我不是想着电源论坛上有两个范例吗（它上面用的就是ssop的），pcb实在不好搞的话，就照他的布了
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ssop的官方参考设计里就有范例哈，不妨看下 原帖由 zhouling 于 2008-9-9 16:50 发表 http://www.shoudian.org/images/common/back.gifssop的官方参考设计里就有范例哈，不妨看下
是，我大概看了下，就是考虑这方面的因素，才申请的ssop的，早知道，我跟着你了。但QFN也有个问题，你焊的时候是从反面灌锡进去？那反面不平，接不了散热片了啊，挫平吗？虽然LTC3780号称98%的效率，但凌特的东东，我觉得还是留点后手好些，
[ 本帖最后由 gxll 于 2008-9-9 16:58 编辑 ]
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我不打算上散热片，从我经验来看，控制芯片发热主要是2点，为了驱动mos内部驱动管发热，内部LDO发热。从我设计LM5118和LM5642的经验来看，内部LDO发热似乎是发热大头....所以个人觉得控制好输入电压3780自身发热应该不会太大，PCB散热够了。对于mos的发热么先借助于PCB敷铜，不行的话mos上面弄个散热片甚至风扇。（以前5118的板子完全是PCB散热，可以5A不热，10A温热，20A不加散热片短时间也撑得住，长时间估计不行） ”凌特的东东，我觉得还是留点后手好些，“ 这点强烈赞同！！！ 原帖由 zhouling 于 2008-9-9 17:07 发表 http://www.shoudian.org/images/common/back.gif我不打算上散热片，从我经验来看，控制芯片发热主要是2点，为了驱动mos内部驱动管发热，内部LDO发热。从我设计LM5118和LM5642的经验来看，内部LDO发热似乎是发热大头....所以个人觉得控制好输入电压3780自身发热应该不会太大，PC ...
的确是这样，而且mos还得选好，不是很优秀的话，不光自己发热，还会拖得LTC3780严重发热。
看您的了，如果的确热量很小的话，我再去申请QFN的，我就等现成了哈。(:lol:) (:lol:) (:lol:) 原帖由 liyongke 于 2008-9-9 17:40 发表 http://www.shoudian.org/images/common/back.gif
我准备申请个LTM4607玩玩，LTC3780 不太好弄的。
LTM4607算是模块了，里面就是封装的LTC3780，但LTM4607的用的是类似BGA的封装，不适合个人搞DIY