这个电路关键是否要控制AO3416的G-S极间电压低于AO3416的栅源间击穿电压UGS.(反馈线圈匝数来调节)否则烧管击穿?(这个电路我认为妙,就是反馈电压刚好控制在Ugs所允许的范围内,所以不须加上其它的分压电阻
就可工作啊. ...
不过话说回来,若真要加上分压电阻,以适应更高电压,电路图应如何改? 原帖由 fbikgb 于 2007-11-18 17:32 发表 http://www.shoudian.org/images/common/back.gif
这个电路关键是否要控制AO3416的G-S极间电压低于AO3416的栅源间击穿电压UGS.(反馈线圈匝数来调节)否则烧管击穿?(这个电路我认为妙,就是反馈电压刚好控制在Ugs所允许的范围内,所以不须加上其它的分压电阻
就可工作啊. ...
其实是借助了LED的特性。由于LED做负载，动态电阻很低，所以输出电压被钳制住。
但如果用于PWM调光，由于PWM过程中输出会有开路的情形，这个电路就不保险了。此时还是用推挽更保险些。 原帖由 fbikgb 于 2007-11-18 17:39 发表 http://www.shoudian.org/images/common/back.gif
不过话说回来,若真要加上分压电阻,以适应更高电压,电路图应如何改?
??? 原帖由 fbikgb 于 2007-11-18 17:39 发表 http://www.shoudian.org/images/common/back.gif
不过话说回来,若真要加上分压电阻,以适应更高电压,电路图应如何改?
这个电路不适合加更高电压，因为MOS要导通彻底，G极电压要比S极电压高到超过开启电压，或者说这两个端子间的压差要尽量大些。但由于负载是LED，所以输出电压被钳制在3.6V左右。
假设电路板输入电压就是1.2V，那么输出电压3.6V计算，G-S间电压为2.4V，此时MOS可以导通得很好。但如果输入电压2.4V，那么G-S间电压就只有1.2V了，查数据资料，1.2V时D-S间导通电阻应该大不少了。
AO3416的典型开启电压是0.6V，由于元件有离散性，有的高些，有的低些。但是，只要超过1.8V，导通情况都差不多，但低于1.5V，就不好说了。有些开启电压稍高的管子可能此时导通电阻还比较大，这样一来，效率就降低了。
所以，这个电路想用更高的电源电压来驱动LED，就不适合这个拓扑了。需要改成你找的那个图的那种形式。但那种形式由于G极串联了电阻，开关频率就不能太高。开关频率高了，由偏置电阻跟输入电容形成的RC时间常数就不能不考虑。频率低了意味着体积增加，对手电而言就不合适了。
用我的绕制磁环的参数，开关频率大致在80KHz左右，不算高，也不算低了。AO3416G-S间电容是1000pF左右，还要计算漏极反射电容等的影响。所以，供电电压提高的话最好不用这个方案。而且，既然输入电压提高了，那就可以直接用现成的驱动IC了。只是我不知道到底那种IC配合效果更好。
用楼主这电路
可DIY些USB供电盒,供为旅行时MP4或手机使用,不过须2AA了,但还是很方便的!:lol现外头成品产品约40元.
楼主为大众造福不浅啊!
[ 本帖最后由 fbikgb 于 2007-11-18 17:59 编辑 ] 原帖由 解毒之中 于 2007-11-18 14:36 发表 http://www.shoudian.org/images/common/back.gif
有需要我可以发几个800MA的给你测试,但前提你的电源要足够,4(为省去MOS的压降计算)*0.8=3.2W,再加上转换损耗,输入则要为3.39W,电流I=3.38/1.5V=2.26A,我可以上传实测图给你看,包你满意. ...
没有其他要求，只要满电的镍氢电池供电，能持续输出700mA，就可以了。。。不要说用稳压电源供电的，不符合实际情况。 原帖由 fbikgb 于 2007-11-18 17:58 发表 http://www.shoudian.org/images/common/back.gif
可DIY些USB供电盒,供为旅行时MP4或手机使用,不过须2AA了,但还是很方便的!:lol
现外头成品产品约40元.
楼主为大众造福不浅啊!
错！
这个电路是不适合作为MP4或手机电源的，因为输出电压不稳。
虽然带LED可以取得较高的输出功率，但接其他设备做负载情况就不同了。
由于输出电压没有限制，所以空载电压会比较高。 看不懂，但是知道又有好的电路出来了，期待啊！！
取消二极管和电容可以吗？
我的一个1w LED手电筒所用电路和这个差不多，之所以说差不多是因为电路板上的三极管或者场效应管型号看不到，但接线和图上类似，区别是没有用二极管和电容，而多了一个电阻，有没高手解读一下．谢谢 什么时候商品化啊？我等着买 能用台式机主板上的MOS管吗？这种电路
这种电路在其其它诸如匝数不变的情况下,提高555的振荡频率,在高压包高压端的次级电压会提高吗?好象这种高频生压电路初次电压不太按匝数比啊.:) ? 原帖由 fbikgb 于 2008-1-4 19:53 发表 http://www.shoudian.org/images/common/back.gif
这种电路在其其它诸如匝数不变的情况下,提高555的振荡频率,在高压包高压端的次级电压会提高吗?
好象这种高频生压电路初次电压不太按匝数比啊.:) ?
如果是反激升压电路，改变频率对改变输出电压贡献不大，改变占空比效果显著。输出电压仍然符合匝数比，只是初级电压就不是电源电压了，而是三极管截止时的感应电动势，这个电动势可能比电源电压高N倍，所以主观感觉似乎“不太按匝数比”。
如果是正激升压电路，那么输出电压跟输入电压符合匝数比，但是这个图纸显然不适合正激，因为正激电路要有磁复位电路，否则漏感储存的能量将在开关管关闭阶段损坏开关管。 虽然听不太懂，但是很期待啊！！ 原帖由 skip005 于 2008-3-3 13:14 发表 http://www.shoudian.org/images/common/back.gif
蜘蛛侠你好，我查了很长时间也没查到AO3416这个场效应管的代码，能把你那管子上的标号告诉我吗？
就像FMMT617这管子上标号是617。我在这里先谢谢你了，我在论坛短消息里等你的回音！ ...
ALPAH&OMEGA公司的MOS的标号，我自己总结了一下，基本上有如下规律：
AO3413：ADXX
AO3414：AEXX
AO3415：AFXX
AO3416：AGXX
比如标号AGSE的，就是AO3416