首尔光电和日亚三款365nm紫外灯珠对比

本次参与对比的三款芯片分别是首尔光电的cun6ef1a和cun66a1b，日亚的ncsu276a，暂时不能对比日亚nvsu233a和首尔光电cun6gb1a（两款电功率都是6w的）。

先说结论吧，cun6ef1a垫底，cun66a1b稍逊于ncsu276a（规格书果然不是骗人的）。

论坛图片限制，效果不是很好

其实很早就收到这三款芯片了，前几天偶然翻到黄豆关于cun66a1b和ncsu276a的对比贴，贴中认为cun66a1b超越了ncsu276a，但我不以为然，从实际使用中感觉不出两者有多的差别，贴中图片也没让我看出首尔光电的超越了日亚的，所以就有了这次对比。

首先声明一点，本对比并不规范，也不精密，仅供参考。

由于没钱买紫外线测量仪，也没处借，但还是想尽量合理的对比，于是我选择使用单反固定拍摄参数，拍摄相同距离（0.7m）的三款灯珠激发下的人民币荧光防伪标志，三款灯珠均由7135*2电路驱动（考虑到7135芯片差异应由同一只电路驱动，但太麻烦放弃使用单只电路），电流实测0.69A，所有测试中灯珠都尽量垂直于荧光标志，灯珠只焊基板，无反光杯聚光，拍摄参数如图。

考虑到灯珠光线发散，cun6ef1a是玻璃封装，而后两款则是半球形的树脂封装，两种封装方式可能会造成光线分布不同，由于首尔光电的规格书中没有指向性参数，这部分差别暂时不能确定，希望筒友能帮忙分析一下。此次对比可能对cun6ef1a不公平，但我也没想出比较好的解决方法，这不是重点，从实际使用中cun6ef1a也是明显不行，这次对比主要是关注cun66a1b和ncsu276a。由于测试时太忙了，都忘了拍实验场景了。本来想通过分析图片区域亮度做成数据化形式，但是百度了一下好像没有软件能分析图片平均亮度值，就此作罢。

           （ncsu276a的指向特性）

下面两张是辐射通量和电流的特性曲线，可见两灯珠在700mA驱动下相对辐射强度都是140%

最后说几句，我同意黄豆关于首尔紫外芯片性价比极高的观点，如果大家想玩紫外手电但不想花太多钱的话，首尔光电的灯珠无疑是个极好的选择，尤其是cun6ef1a，价格便宜，而且500mA下就有560mW的辐射通量，700mA下按140%的算就有785mW了，配合紫外透过滤镜，简直完美，如果想要更好功率可以选择cun66a1b，追求极致的话请选日亚的芯片，日亚芯片无疑在紫外芯片领域拥有最好的工艺和参数。还是提醒一下玩紫外手电一定要做好防护，不要长时间注视紫外线，一副紫外专用防护镜可以过滤大部分紫外线（有些带镀膜的近视眼镜好像也行）。还要吐槽一下我镜头上的UV镜根本一点都不挡紫外线，起码UVA波段紫外线是一点都能不阻挡。

来几张成品图吧，cun6ef1a灯珠组了三个手电，筒友有要的PM我

如果是500mA860mW的话，对应rank是J5，如18楼所说，不同等级的芯片对比不公平，很明显芯片等级越高发光效率越高，但高光效的芯片一是贵，二是少。首尔光电的66a1b的典型值是700mW，而不是780mW，说明其工艺还是不如日亚，另外还有两点，第一66a1b芯片面积要大于276a，说明，其单位面积光效率低于后者，第二66a1b杂光明显多于276a。

后面你说的超频不推荐，第一，增大电流使得峰值波长偏移向长波，第二大电流导致芯片温度升高，温度升高也会导致峰值波长偏移，日亚的276a在60℃会飘到367nm左右，第三温度升高会导致光效率降低，60℃下会降低87%左右。另外，我猜首尔光电配导热电极是因为芯片发热大，日亚没有配是因为芯片效率高，发热小，没必要。因为从早期日亚出的ncsu033b 就配备了导热电极，

NC4U133B 同样也配备了导热电极，最新出的19W的NVSU333A也有，说明日亚对于自己的产品心中有数，发热少的就没必要做多余的导热，发热多的就配导热电极

你说肉眼观测不准确，后面又说目测超越5-10%，肉眼都能目测到0.05的区别了，还不准确？你有条件的话你可以测一下，反正我是没有测量仪器，或者按照按我的方法也行

看杂光多少用图说话就行了，杂光那个多哪个少一眼便知（先说一下两个都没装滤镜，玻璃前的胶垫都是无荧光的橡胶垫，档位相同）