打算diy一个电子开关

310234484 · 发表于 2022-9-12 00:24

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电池电压30-42v，然后通过两个电阻分压，算了一下大概栅极电压变化从10-16v。开关后面一个50k是栅极下拉，并联分流，对栅极电压应该没影响（这个电阻是不是随便我整多大都没事

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，反正不影响电压

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）。然后还有一个问题，就是mos怕不怕打火，之前不是我还做了一个防打火的夹子来着，手动连接由于控制器内部有电容，接上去会打火，mos管怕不怕这个，谢谢大佬们解惑，我太菜了

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。开关准备用一个干簧管，这样就可以放个磁铁上去就可以打开开关了

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310234484 · 发表于 2022-9-12 00:26

图怎么没了，我图呢？

310234484 · 发表于 2022-9-12 00:27

再发一次

310234484 · 发表于 2022-9-12 00:31

还发现一个问题，漏极是不是只能连控制器负，然后电阻接地得接到电池负

310234484 · 发表于 2022-9-12 00:39

不对，栅极下拉打开开关就变成了并联25k了。。。，那分压地接电池负，栅极下拉接漏极可以解决这个问题吗？

310234484 · 发表于 2022-9-12 04:08

这次画对了吧

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toyboy · 发表于 2022-9-12 04:46

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310234484 · 发表于 2022-9-12 04:52

toyboy 发表于 2022-9-12 04:46

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发生了什么

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9312wdp · 发表于 2022-9-12 08:06

310234484 发表于 2022-9-12 04:08
这次画对了吧

低频这个可以的,打火实际上是电容充电瞬间大电流,只要mos不过流没问题.mos接正极,会损失一个开关电压(大约3.XV),而且发热会更严重,接负极就好了.还有G极开关电压看mos管参数,不需要这么高,常用4V基本完全导通了,10V完全够了.

310234484 · 发表于 2022-9-12 08:19

9312wdp 发表于 2022-9-12 08:06

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低频这个可以的,打火实际上是电容充电瞬间大电流,只要mos不过流没问题.mos接正极,会损失一个开关电压(大 ...

那您的意思是把范围降到10v以内吗？主要是电池电压会降低呀！降低了不就不到10v了吗

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310234484 · 发表于 2022-9-12 08:20

9312wdp 发表于 2022-9-12 08:06

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低频这个可以的,打火实际上是电容充电瞬间大电流,只要mos不过流没问题.mos接正极,会损失一个开关电压(大 ...

对了，我有个图

zhqsoft · 发表于 2022-9-12 08:48

本帖最后由 zhqsoft 于 2022-9-12 08:54 编辑

GS并联12V稳压管和100K电阻，G接100k到正极，，如果怕打火可以加上缓冲并做好MOS散热，方法就是GS上在并联一个适当的电阻，一般1uF以内比如0.22uf或者0.1uf。看具体情况，如果后级电路对电压不m感可以放置略大电容，如果m感就放小一点。sj冰吧，图片都是不良信息。

greatadoqq · 发表于 2022-9-12 09:06

310234484 发表于 2022-9-12 08:20
对了，我有个图

那是极限参数，4.0V已经足以使MOS达到完全导通状态了：你图上那份文件再在往下就是这样了

310234484 · 发表于 2022-9-12 09:13

zhqsoft 发表于 2022-9-12 08:48

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GS并联12V稳压管和100K电阻，G接100k到正极，，如果怕打火可以加上缓冲并做好MOS散热，方法就是GS上在并联 ...

你这弄的更复杂。。。

310234484 · 发表于 2022-9-12 09:22

greatadoqq 发表于 2022-9-12 09:06

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那是极限参数，4.0V已经足以使MOS达到完全导通状态了：你图上那份文件再在往下就是这样了

更加懵逼了

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310234484 · 发表于 2022-9-12 09:42

greatadoqq 发表于 2022-9-12 09:06

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那是极限参数，4.0V已经足以使MOS达到完全导通状态了：你图上那份文件再在往下就是这样了

看了半天感觉这个说的有道理

310234484 · 发表于 2022-9-12 09:44

greatadoqq 发表于 2022-9-12 09:06

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那是极限参数，4.0V已经足以使MOS达到完全导通状态了：你图上那份文件再在往下就是这样了

这个值应该是制造商的参数，而不是用户的参数

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310234484 · 发表于 2022-9-12 10:02

greatadoqq 发表于 2022-9-12 09:06

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那是极限参数，4.0V已经足以使MOS达到完全导通状态了：你图上那份文件再在往下就是这样了

越看越懵逼

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乱七八糟的

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310234484 · 发表于 2022-9-12 10:06

greatadoqq 发表于 2022-9-12 09:06

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那是极限参数，4.0V已经足以使MOS达到完全导通状态了：你图上那份文件再在往下就是这样了

你看

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dqp05 · 发表于 2022-9-12 10:14

门极电压不能太低，不能小于10V，否则导通内阻偏大

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