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<DIV class=quote><B>以下是引用<I>lymex</I>在2006-7-12 9:37:24的发言:</B><br><br>
<DIV class=quote><B><I>电子迷</I>在2006-7-11 22:22:53的发言:</B><br>已经联系了7W的808,很贵,要求波长精度2nm,被告知加价50%,因为YV04的最佳吸收波长在808.5nm,带宽是10nm左右,本系统准备采用单片机控制温度,精度0.1度,LD耗电14W,半导体制冷耗电10W,总耗电24W,用支持高倍率放电的18650,容量1600mah,越能持续工作20分钟.</DIV>
<P>支持!我感兴趣,什么时间能出样机?<br>看来大功率不容易,最好做成1064和532比较方便的可转换的,而且是用户可换镜头的。</P>
<P>另外请问,在偏离808.5nm后,YV04的吸收会很快下降吗?温度对最佳吸收波长影响大吗?需要多长时间的预热?</P><br></DIV>
<P>是1064和532可转换的,用两块晶体,一块是YVO4和S-KTP的胶合晶体,一块是YVO4单晶体,最外面车个罗纹,可上20mmUV镜(须自制)<br>
<P>在偏离808.5nm后,YV04的吸收会很快下降,小于803或大于813后效率就很低了,所以现在市场上很多原器件一样的激光器输出功率不一样,比如30mw.40mw,50mw用的晶体和LD都是一样的,而输出不同,主要原因是LD的波长有离散性造成,而波长可以用温度控制来校正,所以温控是很重要的,我准备用单片机做温控,自动初始化(就是自动找到最佳温度并存储),初始化每年做一次就可以了<br>
<P>晶体的工作温度对吸收是有很大影响的,YVO4温度较低时转换效率高,而KTP在温度较高时效率高,这是个矛盾,所以最好的方案是YVO4和KTP分别控温,YVO4一般最佳温度在10-30度(,具体的温度跟晶体掺杂浓度有关),KTP需要温度匹配和切割角匹配!<br>
<P>预热时间跟外界温度有关,不过想我这么大的功率,预热应该很快,呵呵</P>
[此贴子已经被作者于2006-7-22 14:42:40编辑过]
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