请问场效应管和可控硅哪个饱和导通压降低？

chri88 · 发表于 2013-4-7 20:18

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新手发问：在3A的导通电流下，场效应管和可控硅哪个饱和导通压降低？也就是说哪个发热最少？

大家指点一下。

niufenlan · 发表于 2013-4-7 20:38

kekongguishishenma?{:4_322:}

wlbx · 发表于 2013-4-7 20:43

用mos吧。

ak47fans · 发表于 2013-4-7 21:20

场效应管

陈满神 · 发表于 2013-4-7 21:49

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陈满神 · 发表于 2013-4-7 21:49

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mpmpm · 发表于 2013-4-7 22:05

mos管的要低。

国望堂 · 发表于 2013-4-7 22:08

场管最小，0.1、0.01数量级过100A才1V压降

jiamu8 · 发表于 2013-4-7 22:08

什么场合用？电压？交流直流？

可控硅是半控元件，能控制开通，不能控制关断

国望堂 · 发表于 2013-4-7 22:11

帮LZ算一下：
同时过10A电流，可控硅发热量是7W，而场管（按0.03欧算）才3W，压降前为》0.7V，后0.3V

fenglei · 发表于 2013-4-7 22:48

好像可控硅有个最低压降吧，就像二极管零点几伏的导通压降，mos是阻性的，没电流就没有电压差

Fireflying · 发表于 2013-4-8 07:20

这两个没有可比性。可控硅要过零才能关断，二者电路完全不同不能取代，搞不懂楼主啥意图。

qdliuji · 发表于 2013-4-8 08:36

可控硅和MOS不能互换使用。3A电流是直流还是交流？电压多少？

qyh · 发表于 2013-4-8 10:07

mos管应用于直流，可控硅应用于交流或脉动直流，如果可控硅应用于恒定直流就没办法关断了

宇文清熙 · 发表于 2013-4-8 10:12

可控硅用起来比较复杂，在楼主貌似想替代mos情况下，，，并且可控硅和mos不是一个材质和原理，建议楼主打消这念头

国望堂 · 发表于 2013-4-8 10:50

前面说的都对，可能是LZ想设计电路，但对2者没印象，LZ应该恶补一下：
补充：1、可控硅的控制电压可以达到3V或以下电流比较大，要N毫安以上，而MOS的控制电压高点导通电阻小点，但电流要求不高，0.N毫安以下就行
2、小电流时，MOS的压降小，甚至不足0.1V，而可控硅则最低0.7V，大电流时压降还要高些
3、可控硅在直流电路中，不可判断是最大的缺点，而MOS则没这个问题

chri88 · 发表于 2013-4-8 21:21

我是用来驱动烙铁芯，谢谢大家，用MOS.

donkey · 发表于 2013-4-8 22:18

驱动哪种烙铁芯?类似的白光的还是MOS吧,如果是普通的烙铁芯,想省钱就用可控硅,否则用mos,高压mos贵呢.

水逝水飞 · 发表于 2017-9-8 14:34

国望堂发表于 2013-4-7 22:11
帮LZ算一下：
同时过10A电流，可控硅发热量是7W，而场管（按0.03欧算）才3W，压降前为》0.7V，后0.3V ...

可控硅的导通压降与触发电流有关系吗？？

shj117 · 发表于 2017-9-8 21:10

可控硅可以理解为可控的二极管，所以有个PN结，而MOS的导通内阻可以做到毫欧级。

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