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发现一家做DC/DC升压模块的国内公司

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  • TA的每日心情
    开心
    2020-2-4 01:21
  • 签到天数: 2 天

    [LV.1]初来乍到

    发表于 2004-8-30 05:28 | 显示全部楼层 |阅读模式

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    <P>公司产品网址http://www.microne.com/cdoc/p3.php</P>
    <P>其中ME2101系列有望做1W普通2AA镍氢电池的驱动,介绍如下。</P>
    <P>ME2101系列DC/DC芯片是采用CMOS工艺制造的低静态电流的PWM开关型DC/DC升压转换器。该系列芯片采用先进的电路设计和制造工艺,极大地改善了开关电路固有的噪声问题,减小对周围电路的干扰。输出电压为2.0V~7.0V(按0.1V的级差),振荡频率为100KHz(典型值)。对内置开关晶体管的ME2101AxxX,组成DC/DC升压电路只需接三个外围元件, 一只肖特基二极管、一只电感和一只电容。CE使能端,可关断芯片,使功耗达到最小。带Vdd端的ME2101ExxX,供电电源和电压检测分离,具有反馈功能,输出电压可调。该系列芯片适用于低噪声、较大电流的电池供电设备。</P>只需少量的外接元件:仅一只肖特基二极管、一只电感和一只电容;
    低纹波及低噪声;
    工作电压范围:0.9V~8V;
    带载能力强:当Vin=3.0V 且 Vout=3.3V 时 Iout=350mA;
    输出电压范围:2.0V~7.0V(步长0.1V);
    输出电压高精度:±2.5%;
    低启动电压:最高值为0.9V(输出电流为1mA时);
    最大工作频率:100KHz(典型值);
    高效率:典型值为85%;
    封装尺寸:SOT23,SOT89,TO92。
    <P> </P>
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    该用户从未签到

    发表于 2004-8-30 17:21 | 显示全部楼层
    <P>这个公司早就被讨论过了。</P><P>肖特基二极管的驱动能力有限,输出功率上不去。</P><P>从参数上看,Vin=3.0V 且 Vout=3.3V 时 Iout=350mA,两节Ni-Mh的电压只有2.4V,而且而1W LS电压通常是3.4V左右,电流335mA,可以说已经到了这个片子的极限,不留余量的设计虽然也能用,但效果不会好。</P>
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    发表于 2004-8-31 02:49 | 显示全部楼层
    <P>肖特基二极管的驱动能力有限?????????</P>
    <P>你要100A都有的!</P>
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    发表于 2004-8-31 16:59 | 显示全部楼层
    <P>或许我没说清楚:-)</P><P>肖特基二极管由于导通电阻大于场效应管,用在升压电路中会影响效率和效果,故通常功率大一些的升压芯片都推荐使用MOSFET作为外围器件。</P>
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    发表于 2004-8-31 21:16 | 显示全部楼层
    <P>肖特基二极管由于导通压降在0.3V左右.输出电压越低这个整流压降对效率的影响越大.低电压的开关IC为了提高转换效率.</P><P>通过内建MOSFET作为同步整流以起得较低的整流压降.提高转换效率</P>
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    发表于 2004-9-2 03:06 | 显示全部楼层
    <B>以下是引用<I>非常电筒</I>在2004-8-31 13:16:59的发言:</B>

    <P>肖特基二极管由于导通压降在0.3V左右.输出电压越低这个整流压降对效率的影响越大.低电压的开关IC为了提高转换效率.</P>
    <P>通过内建MOSFET作为同步整流以起得较低的整流压降.提高转换效率</P>

    <P>肖特基二极管的导通压降是一个方面,开关时间也是影响效率的一个因素。同样的效率,功率小的时候浪费的能量少,但功率一大的话,浪费的能量就很可观。</P>
    <P>内建肖特基二极管或MOSFET的芯片通常功率不大,因为内建的管子做不大,自然功率就大不了,但很多这样的片子都支持外接MOSFET。从我接触到的片子来看,大功率的DC/DC转换IC都是采用外接MOSFET的方案,而且有些的电压还很高。</P>
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    发表于 2004-9-3 06:51 | 显示全部楼层
    <P>Raptor兄:同意你的说法!</P><P>如果将肖特基二极管换成是整流二极管(例如4001),效率会大大下降,而且输出的电流也会变小! 而MOSFET的方案微功耗、高速度、驱动大电流,所以效率能够提高,输出电流也很大。</P>
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