高通今日宣布,其子公司 Qualcomm Technologies, Inc. 已经正式推出下一代快速充电技术 Qualcomm® Quick Charge? 3.0(简称 Quick Charge 3.0,下同),比目前主流中高端手机上的 Quick Charge 2.0 拥有更快的充电速度和更低的功率损耗。据介绍,高通第三代快充方案 Quick Charge 3.0 首次采用了“最佳电压智能协商(Intelligent Negotiation for Optimum Voltage,INOV)”算法,可让设备具备自行选择所需功率电平的能力,从而在任意时刻都能实现最佳的功率传输,进一步保护电池的使用寿命。
最新的 Quick Charge 3.0 在充电速度上相比 Quick Charge 2.0 快了 27%、是 Quick Charge 1.0 的两倍,约 35 分钟即可将一部典型的手机从零电量充电至 80%,同时功率损耗降低了至少 45%,整体效率比 Quick Charge 2.0 提升了 38%。作为对比,不具备 Quick Charge 的传统移动终端从零电量充电至 80% 通常需要大致一个半小时的时间。
此外,Quick Charge 3.0 还在 Quick Charge 2.0 的基础上带来了增强了电压选项的灵活性,后者提供 5V、9V、12V 和 20V 四档充电电压,而 Quick Charge 3.0 则以 200mV 增量为一档,提供从 3.6V 到 20V 电压的多档选择。 不仅如此,Quick Charge 3.0 还能够与 Quick Charge 之前的版本及连接器(包括USB Type-C)前向和后向兼容,充电速度不打折扣。已经确认支持 Quick Charge 3.0 的首批处理器包括骁龙 820/620/618/617/430,覆盖中高端产品,终端将于明年上市。
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