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发表于 2016-6-28 14:36
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是这个吗?
JTM5910 是一款专为移动电源设计的同步升压的单芯片解决方案,内部 集成了线性充电管理模块、同步放电管理模块、电量检测与 LED 指示模块、 保护模块目录
1.产品概述 2.产品特点 3.应用范围 4.技术规格书下载(产品PDF文档)
5.产品封装图 6.电路原理图 7.功能概述 8.相关产品
一,产品概述(General Description)
JTM5910 是一款专为移动电源设计的同步升压的单芯片解决方案,内部
集成了线性充电管理模块、同步放电管理模块、电量检测与 LED 指示模块、
保护模块。
JTM5910 内置充电与放电功率 MOS,充电电流可以设定, 最大充电电
流为 1A,同步升压支持 1A 输出电流。 JTM5910 内部集成了温度补偿、过
温保护、过充与过放保 护、输出过压保护、输出重载保护、输出短路保护等
多重安全保护功能以保证芯片和锂离子电池的安全,应用电路简单,只需很少元
件便可实现充电管理与放电管理。
二.产品特点(Features)
放电输出:5V/1A
充电电流:最大 1A
效率: 91% (输入 3.7V,输出 5V/1A)
BAT 放电终止电压:2.9V
可选 4.2V/4.35V 充电电压
最大 25uA 待机电流
智能温度控制与过温保护
集成输出过压保护、短路保护、重载保护
集成过充与过放保护
支持涓流模式以及零电压充电
支持手电筒功能,最大输出 100mA
封装形式:SOP16
三,应用范围 (Applications)
移动电源
四.技术规格书下载(产品PDF)
五,产品封装图 (Package)
管脚号 | 管脚名称 | 描述 | 1 | SW | 升压功率 NMOS 的漏极 | 2 | SW | 升压功率 NMOS 的漏极 | 3 | PGND | 功率地 | 4 | PGND | 功率地 | 5 | AGND | 模拟地 | 6 | VDD | 电源输入端 | 7 | BAT | 锂离子电池正极 | 8 | LED4 | PMOS 漏极输出电量指示端,外接电量指示 LED 灯到 GND | 9 | LED3 | PMOS 漏极输出电量指示端,外接电量指示 LED 灯到 GND | 10 | LED2 | PMOS 漏极输出电量指示端,外接电量指示 LED 灯到 GND | 11 | LED1 | PMOS 漏极输出电量指示端,外接电量指示 LED 灯到 GND | 12 | LIT | NMOS 开漏手电筒照明输出端,可以驱动 100mA 的 LED 灯用于手电筒照明 | 13 | OUTN | 升压输出负极端 | 14 | OUTP | 升压输出正极端以及输出电压采样端 | 15 | SWT | 手电筒和电量指示使能端,接按键到 GND,短按按键显示电量,长按按键 1.5S
手电筒打开或关闭 | 16 | ISET | 充电电流设定端,外接一电阻到 GND 用于设定充电电流 |
六.电路原理图
七,功能概述
VBAT预设充电电压
VSDVDD-VBAT 锁定阈值
符号 | 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | VDD | 充电输入电压 |
| 4.3 | 5 | 5.5 | V | VBAT | 预设充电电压 | 针对 4.2V 规格 | 4.15 | 4.2 | 4.25 | V | 针对 4.35V 规格 | 4.30 | 4.35 | 4.4 | V | △ VRECHRG | 再充电阈值电压 | VBAT-VRECHRG |
| 100 |
| mV | VISET | ISET 电压 | RISET=1KΩ | 0.90 | 1 | 1.1 | V | IBAT | BAT 恒流充电电流 | RISET=1KΩ,恒流充电模式 | 900 | 1000 | 1100 | mA | ITRK | BAT 涓流充电电流 | RISET=1KΩ,涓流充电模式 |
| 100 |
| mA | VTRK | 涓流充电阈值电压 | RISET=1KΩ,VBAT 上升 |
| 2.9 |
| V | VTRK_HYS | 涓流充电滞回电压 | RISET=1KΩ |
| 100 |
| mV | TST | 充电温度补偿阈值 |
|
| 110 |
| ℃ | TZERO | 充电零电流温度 |
|
| 130 |
| ℃ | VUV_BAT | BAT 欠压锁定阈值电
压 | VBAT 上升 |
| 3.1 |
| V | VWN_BAT | BAT 低压报警电压 | VBAT 下降 |
| 3.0 |
| V | VBAT_END | BAT 放电终止电压 |
|
| 2.85 |
| V | ISD_BAT | BAT 待机电流 | VBAT=3.7V |
| 15 | 25 | uA | VSD | VDD-VBAT 锁定阈值 | VDD 上升 |
| 130 |
| mV | VDD 下降 |
| 60 |
| mV | VOUT | 升压输出电压 | ILOAD=1A,VBAT=3.7V | 4.8 | 5V | 5.2 | V | VLIT | LIT 低电平电压 | ILIT=100mA |
| 0.6 |
| V | ILEDx | LED1~LED5 驱动电流 | BAT=4V |
| 4 |
| mA | FLEDx_C | LEDx 充电闪烁频率 |
|
| 1 |
| Hz | FLED1_WN | LED1 低电闪烁频率 |
|
| 2 |
| Hz | RON_CHRG | 充电 PMOS 导通电阻 |
|
| 300 |
| mΩ | RON_NMOS | 放电 NMOS 导通电阻 |
|
| 65 |
| mΩ | RON_PMOS | 放电 PMOS 导通电阻 |
|
| 65 |
| mΩ | FOSC | 升压电路工作频率 |
| 400 | 500 | 600 | KHz |
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