V9+P7系列电筒DIY祼体到底+如何将山寨货变精品

zhouling

原帖由 wow 于 2008-5-23 12:42 发表

                               
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哈哈，这里真热闹！！！
入门人，赶紧弄点现货让大家玩玩吧！说实在的50元太贵了。还有就是新东西不免有很多BUG，所以综合考虑，我还是等等吧！:lol ...

50元一点都不贵的，这么神奇的片子光卖50我都觉得便宜了，就是人家不卖啊:lol

zhouling

原帖由 Paul73 于 2008-5-23 12:43 发表

                               
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到那儿转了一下，很遗憾没有看到哪款可以2M的。

我见识不多，能上2M的数来数去就那么几家的，但都没他这款这么牛的

zhouling

其实很多soic封装的mos，栅极电容都不大的，还有如果是logic level的最好，其实驱动的好都没问题的，我用gate drive能够达到上安培的控制芯片都有不错表现，TO220的普通mos都可以推的很好
我实际用过irf7805，表现还可以，敷铜散热，上5A不怎么热，手可以摸
其他IR公司很多先进的mos买不到，无缘一试

[ 本帖最后由 zhouling 于 2008-5-23 13:02 编辑 ]

zhouling

Paul73客气了，我叫你老兄还差不多哈

zhouling

我感觉2M的最主要目的是能让外围元件体积减小，所以便携设备用的多，功率做不大，很多都内置FET

zhouling

还有个FDS6894A双N的也比较好用

gxll

原帖由 zhouling 于 2008-5-23 13:24 发表

                               
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还有个FDS6894A双N的也比较好用

嘿嘿！我用的FDS6898，一字之差哈，电流要大些，但ciss也大些

gxll

嘿嘿！我用的FDS6898，一字之差哈，电流要大些，但ciss也大些，好用啊

xiewg

原帖由 入门人 于 2008-5-23 19:43 发表

                               
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V9祼体省最新消息
位于东半球韩半东南角10度,手电论坛国V9祼体省,震中央位于LED板块下面12公里.发生强烈的筒振,震级达P7_900LM筒级,后经CCTV确认,认为大强烈了.改为8级，无数桐友受惊纷纷躲避.:lol :lol :lol

228楼 ...

SB, 拿地震说事儿？找抽啊！还TMD是不是人啊。。。

gxll

建议扫盲位置:   
PFM与AD转换与控制
LED特性
PWM+PFM工作原理
加固位置(需防八级以上地震......):   
PCB排版;
硬件扩展应用;
EMC;
元器件及电路电性能鉴别与进修;
其它方面等后再补上吧.

首先谢谢你的建议。
1.PFM没搞过，的确没这方面的发言权，但不是坛里无人，zhouling就很不错
2。我是从电池论坛转过来烧这个的，LED的确要多练练
3。加固位置，我自认为还结实，最起码没元件摞元件。最起码我和电池接触的铜柱有足够的位置焊接，不会掉下来吧。我手上的和你的v9同母所出的驱动板铜柱个个掉下来过，问题是还不好焊。
4。和你说过，业余的，自认为将就了。
5。
6。不知道从哪看出来我的emc有问题。我也好改正
7。我没以小充大吧。没有0.6w的功耗用0.25功率的电阻来承担吧
    我这购买元件困难，就是买tiny13都是邮购，很多东西并不是以我的意志来决定的，我只有尽量用手上的 东西满足我的构思。
    电路电性能鉴别，我承认我直接用万用表搭建的效率检测有一定的误差，但不会太大，这我在我的帖子中也提到过，警惕被万用表骗，
但我绝对不敢对用肖特基整流的电路报95%的效率。

[ 本帖最后由 gxll 于 2008-5-24 00:06 编辑 ]

gxll

我也评价下你，1我觉得你很深，挤一下，出来点，再挤，还能来点，有点探不到底的感觉。平时装的傻傻的，但对谁都还能有问有答。2就是很会避重就轻，3是优点，脾气不错

炸药

其实 大家好像没什么必要攻击LZ ，我感觉LZ的 错误就在于报了个错误的价格，和夸大了某些参数或者说采用了原件本身的参数，就好像基本所有手电商都说Q5手电亮度是2XXLM，其实有多少达到了呢？
还有商品的价值要以市场的认可来确认的，现在山寨手机把国产大品牌都打趴下了，说明了什么呢？
坛子里高手N多 真正造福桐油的有几个呢？当然谁都没有这个义务。
最后想到了 老沈。。。哎。。